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臺積電預計2020年5nm制程和HPC產(chǎn)品的收入份額將達到10%

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2020-02-13 01:54 ? 次閱讀
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***首屈一指的晶圓代工廠商臺積電(TSMC)是全球最重要的智能手機和個人計算機內(nèi)部芯片制造商之一。該公司最新的制造節(jié)點銷售為'7nm',這使基于Santa Clara的應用處理器和圖形處理單元設(shè)計商Advanced Micro Devices Inc.在微處理器領(lǐng)域可以與Intel Corporation有效競爭。

臺積電(TSMC)管理層最近與分析師進行了交談,并就今年整個晶圓代工廠和半導體行業(yè)的期望提供了重要見解。該晶圓廠一直在忙于對其N7和N5節(jié)點進行大量投資,因為它預計對它們的需求將會增加。

臺積電計劃在2020年投入150億至160億美元的資本支出,其中80%用于7nm,5nm和3nm工藝節(jié)點

對于臺積電來說,2019年是7nm增長的標志。N7涵蓋的晶圓廠工藝技術(shù)貢獻了其收入的35%,比上一季度增長8%,比去年同期增長12%。全年,基于7nm的產(chǎn)品為臺積電的收入貢獻了27%,而2018年為9%。有趣的是,盡管智能手機的收入貢獻在這一年增長了4%,但高性能計算的收入?yún)s來自于其中,中央和圖形處理單元下降了3%。

更重要的是,臺積電意識到要保持其產(chǎn)能與客戶需求保持一致,為此,該晶圓廠計劃在今年內(nèi)投資150億至160億美元的資本支出。相比之下,由于5G部署的增加,該公司2019年的資本支出為149億美元。

今年支出的80%將分配給先進的制造節(jié)點,包括7nm,5nm和3nm系列,其中10%用于先進的封裝,掩模制造和特殊技術(shù)。臺積電的專業(yè)技術(shù)涵蓋MEMS,CMOS圖像傳感器嵌入式NVM,RF等領(lǐng)域。此外,臺積電在整個2019年用于收購物業(yè),廠房和設(shè)備的149億美元中,約有1.2億美元直接與即將到來的5nm坡道以及5nm和3nm工藝技術(shù)系列的開發(fā)有關(guān)。

臺積電表示5nm坡道今年將包括HPC產(chǎn)品,影響其毛利率并為2020年收入貢獻10%

臺積電今年超越了半導體和晶圓代工行業(yè),并且該晶圓廠預計未來幾年也將如此。未來四年,半導體和晶圓代工業(yè)預計將分別增長8%和17%,而臺積電(TSMC)預計,以美元計算,它將比晶圓代工廠的增長快幾個百分點。臺積電(TSMC)認為,在當前季度中,當前的5G增長將使其產(chǎn)生比季節(jié)性通常允許的更好的結(jié)果。

此外,該公司認為,不僅今年市場預期5G滲透率將達到青少年,而且這一滲透率已超過4G在類似階段展示的水平。隨后,它相信對5G和HPC產(chǎn)品的強勁需求將在未來幾年推動對先進工藝的需求,并且如果您小心的話,您會注意到該列表中缺少智能手機的應用處理器。

臺積電的N6制造工藝(6納米)處于該晶圓廠7納米工藝技術(shù)系列的末尾。N6 的密度比N7 +(TSMC的第一個基于EUV的7nm)提高了18%,并在其上增加了一層EUV層,并且設(shè)計規(guī)則與N7(基于DUV的7nm)完全兼容。臺積電已經(jīng)確認,N6的風險生產(chǎn)有望在2020年第一季度實現(xiàn),工藝技術(shù)將在年底之前投入量產(chǎn)(如果我們的猜測正確的話,可能在H2后期)。

在N6之后,TSMC的第一個基于5nm的制程節(jié)點稱為N5。制造商已經(jīng)確認N5廣泛采用EUV,并且與基于7nm系列的產(chǎn)品相比,該工藝具有80%的密度和20%的性能提升。臺積電(TSMC)去年4月通過硅測試車驗證了工藝節(jié)點的設(shè)計時,5nm進入了風險生產(chǎn)。該制造工藝將于今年上半年進入批量生產(chǎn),并在下半年大幅度提高。

這種激進的增長將由移動設(shè)備(蘋果A14,您好)推動,更重要的是,如臺積電管理層所說 的高性能計算產(chǎn)品。 最后的粗體字已得到確認,它提供了有限的可能性。臺積電的高性能計算產(chǎn)品涵蓋中央處理器,人工智能和網(wǎng)絡(luò)應用程序,因此可以自由推測這些產(chǎn)品可能是什么。臺積電預計2020年,5納米占其總收入的10%。

Fab確認所有主要客戶都將在2021年轉(zhuǎn)向第二代5nm,今年7nm工藝收入將增長至總收入的34%

臺積電也在與客戶合作設(shè)計N3(3nm)工藝節(jié)點,但按照慣例,它拒絕提及涉及哪些客戶。更重要的是,該晶圓廠已經(jīng)確認, 所有主要客戶都將在2021年轉(zhuǎn)向N5P。N5P是臺積電的第二代5nm工藝。它提供了前端和中間的優(yōu)化,以實現(xiàn)7%的性能或15%的電源效率增益。早期的5nm磁帶輸出在類似的階段要比7nm的少,但是臺積電(TSMC)認為,大批量生產(chǎn)時它們將等于7nm。

隨著臺積電為未來工藝技術(shù)奠定基礎(chǔ),明年的資本強度將低于40%,明年將下降30%-35%。該公司在2019年上半年的第四季度清除了未售出的晶圓庫存,并指出,到2020年,預計產(chǎn)能將增長個個位數(shù)。

臺積電(TSMC)預測今年后端收入將實現(xiàn)兩位數(shù)增長,它預測7nm工藝技術(shù)系列收入將在移動和HPC需求的推動下在2020年增長到34%,而5nm的增長確實將釋放7nm的產(chǎn)能分配。

這家***晶圓廠受到美國政府的壓力,要求將對國家安全至關(guān)重要的組件生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到美國或提供同樣可接受的解決方案。為此,臺積電表示,工廠建設(shè)的成本是***最低的,而這些低廉的成本符合其所有客戶的最大利益。

臺積電副董事長兼首席執(zhí)行官魏建中博士駁斥了媒體報道,中國半導體制造國際公司正在削減其公司的14nm訂單。魏博士期望5G以下的低于6Ghz的5G基站,而不是5G的mmWave,他拒絕評論臺積電為N7和N5工藝技術(shù)家族增加的新客戶。

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