格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺上的嵌入式磁隨機存取存儲器（eMRAM）已正式投入生產。同時格芯正與多家客戶共同合作，計劃于2020年實現(xiàn)多重下線生產。格芯樹立業(yè)界里程碑，證明了eMRAM的可擴展性在物聯(lián)網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進階制程節(jié)點上是經濟有效的選擇。

格芯的eMRAM，讓設計師能夠擴展現(xiàn)有的物聯(lián)網和微控制器單元架構，以取得28nm以下技術節(jié)點的功耗和密度優(yōu)勢，并作為大容量嵌入式NOR快閃存儲器的替代方案。

格芯的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發(fā)性存儲器（eNVM），已通過五項嚴格的實際回焊測試，在-40℃到125℃的溫度測試范圍，展現(xiàn)出10萬次循環(huán)耐久性和資料保存期限高達十年。FDX eMRAM解決方案通過AEC-Q100質量等級2之驗證標準。該解決方案的開發(fā)正在進行中，期望可以在明年通過符合AEC-Q100質量等級1解決方案之驗證標準。

格芯汽車與工業(yè)多市場部門資深副總暨總經理Mike Hogan表示，格芯致力于透過穩(wěn)定、功能多元的解決方案讓FDX平臺與眾不同，進而讓客戶以高性能和低功耗之應用來開發(fā)創(chuàng)新產品。格芯的差異化eMRAM，部署在業(yè)界最先進的FDX平臺上，為易于整合的eMRAM解決方案提供獨一無二的高效能RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能夠提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已連接的IoT應用。

格芯與設計合作伙伴今起提供客制化設計套件，其中包含可插式套件、4到48兆位硅驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援內建測試功能。

eMRAM是一項可擴充的功能，預計將在FinFET和未來的FDX平臺上應用，是eNVM的進階規(guī)劃。格芯位于德國德勒斯登Fab1的先進12吋晶圓生產線，將會采用MRAM來支援22FDX的批量生產。
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