受疫情影響 三星3nm工藝量產(chǎn)或延期
近日，DigiTimes在一份報告中稱，三星3nm工藝量產(chǎn)時間可能已經(jīng)延期至2022年。
三星原計劃2021年初量產(chǎn)3nm，但受疫情影響，三星預(yù)期時間可能已經(jīng)延期至2022年，業(yè)內(nèi)消息人士指出，這并非工藝制造上的延遲，而是因為EUV光刻機等關(guān)鍵設(shè)備在物流上的延遲所致。
三星早在去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節(jié)點放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
而三星最大對手臺積電也因為疫情原因半導(dǎo)體裝備及安裝人員都無法按期完成，原計劃在6月份風(fēng)險試產(chǎn)的3nm FinFET工藝，試產(chǎn)時間將延期到10月份。
相應(yīng)地，臺積電南科18廠的3nm生產(chǎn)線也會順延一個季度，原本在10月份安裝設(shè)備，現(xiàn)在也要到2021年初了。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15897瀏覽量
183238 -
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5812瀏覽量
177103
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
大突破！三星產(chǎn)出10nm以下DRAM
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）近日消息，三星電子已經(jīng)成功產(chǎn)出全球首個10納米以下制程的DRAM工程裸晶（Working Die）。這一里程碑式的成果，標(biāo)志著DRAM制造工藝首次正式邁入個位數(shù)納米時代
基于三星Exynos Modem的廣和通5G模組Fx550正式全球量產(chǎn)
3月31日，廣和通宣布：基于三星Exynos Modem平臺開發(fā)的5G模組Fx550（包含LGA封裝的FG550及M.2封裝的FM550）已正式實現(xiàn)規(guī)?；?b class='flag-5'>量產(chǎn)。該產(chǎn)品的推出及量產(chǎn)不僅標(biāo)
三星力爭2030年量產(chǎn)1nm芯片，引入“fork sheet”新結(jié)構(gòu)
在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭中，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門正全力沖刺，計劃在2030年前推出1nm工藝，這一技術(shù)被譽為“夢想半導(dǎo)體”工藝，每個計算單元大小僅相當(dāng)于五個原子。此舉目標(biāo)明確，直指與
3nm大規(guī)模導(dǎo)入光模塊：Credo推出二代1.6T光DSP
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，在博通推出行業(yè)首款3nm光DSP后，Crdeo近日也宣布推出第二代Cardinal系列1.6T光DSP產(chǎn)品，同樣基于3nm先進工藝。 AI計算集群正持續(xù)突破網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施極限，高
臺積電擬投資170億，在日本建設(shè)3nm芯片工廠
據(jù)報道，全球最大的半導(dǎo)體代工制造商臺積電（TSMC）已最終確定在日本熊本縣量產(chǎn)3nm線寬的尖端半導(dǎo)體芯片的計劃。預(yù)計該項目投資額將達到170億美元。日本政府正致力于提升國內(nèi)半導(dǎo)體制造能力，并表示支持該計劃，認(rèn)為其有助于經(jīng)濟安全。
三星2nm良率提升至50%，2027年前實現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)盈利可期
據(jù)報道，三星電子第一代2nm GAA制程（SF2）良率已穩(wěn)定在50%，該數(shù)據(jù)也通過其量產(chǎn)的Exynos 2600處理器得到印證。
三星發(fā)布Exynos 2600，全球首款2nm SoC，NPU性能提升113%
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm
全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn) 三星Exynos 2600
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn)；三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm
今日看點丨三星美國廠2nm產(chǎn)線運作；《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識辦法》正式生效
三星美國廠2nm 產(chǎn)線運作 美國2nm晶圓代工廠近期再添生力軍，在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下，原本暫緩的三星美國德州新廠2nm產(chǎn)線近期傳
發(fā)表于 09-02 11:26
?1946次閱讀
傳三星 HBM4 通過英偉達認(rèn)證，量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)報道，有業(yè)內(nèi)人士透露，三星在上個月向英偉達提供了HBM4樣品，目前已經(jīng)通過了初步的質(zhì)量測試，將于本月底進入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過英偉達最后的驗證步驟，最早可能在11月或12月
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Performance Body-bias）方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進展順利，三星將立即啟動量產(chǎn)，
三星代工大變革：2nm全力沖刺，1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中，三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進方面做出重大調(diào)整，原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
評論