在存儲大好的年代，力晶跟銀行借了很多錢，風(fēng)光蓋廠，為了維持技術(shù)的領(lǐng)先，花大錢買機臺，跟著投入先進制程的研發(fā)，可惜無法維持太久。

2008 年一場金融海嘯，一度讓多家記憶體廠陷入危機，力晶也是其中之一。當(dāng)時，力晶曾向銀行申請紓困 466 億元，總負(fù)債一度高達(dá) 755 億元，負(fù)債比率達(dá)到八成。

2012 年 12 月，力晶在股市上的凈值轉(zhuǎn)為負(fù)數(shù)，負(fù)債高達(dá) 1，100 億元，被迫下柜。當(dāng)日，力晶的收盤價只剩下 0.29 元，可以說是股東們最痛苦的一天。

下柜后的力晶全力轉(zhuǎn)型，毅然決然從老本行 DRAM 轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，力晶自 2013 年營運轉(zhuǎn)虧為盈以來，到 2017 年的這 5 年當(dāng)中，順利繳出亮眼的成績單。這幾年來，力晶每年獲利都超過百億元，迅速還清千億元的債務(wù)，去年每股凈值也重返新臺幣 10 元大關(guān)，甚至有能力開始對股東配發(fā)股利，迎向重生之路。

回顧力晶“前生”

力晶是記憶體業(yè)大起大落最戲劇性的案例之一。梳理一下力晶這一段戲劇性之路。

力晶于 1994 年十二月創(chuàng)立于新竹科學(xué)園區(qū)，早期專注于動態(tài)隨機存取存儲之生產(chǎn)，逐步擴及及晶圓代工及 Flash 生產(chǎn)，并以大陸終端客戶為主要營收來源。

公司在生產(chǎn)動態(tài)隨機存取存儲制程技術(shù)以三菱電機既有的技術(shù)為基礎(chǔ)，與日本的 DRAM 大廠 Elpida 締結(jié)策略聯(lián)盟，共同研發(fā)尖端 DRAM 技術(shù)。公司也和 Renesas 等國際大廠合作，開發(fā)生產(chǎn)高容量快閃存儲（Data Flash），以期成為國內(nèi)最大之全方位存儲公司。

在邏輯代工制程技術(shù)方面，自日本三菱公司引進 0.25 微米／0.18 微米／0.15 微米邏輯代工制程技術(shù)，并建立相關(guān)制程的設(shè)計資料庫及 IP，以及開發(fā) Mixed-mode 、CIS 等產(chǎn)品，以協(xié)助客戶順利量產(chǎn)新世代產(chǎn)品。

代工業(yè)務(wù)主要為轉(zhuǎn)投資的 8 寸廠巨晶電子。公司成立初始即鎖定日本三菱為策略合作伙伴，不斷引進日方技術(shù)提升制程能力，已成為國內(nèi)最大動態(tài)隨機存取存儲廠商。

力晶 2008 年第二季將產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)換為 70nm 制程，65nm 制程于第三季進入量產(chǎn)。

2009 年主流制程為 65 納米制程，雖持續(xù)進行制程微縮，但在 2010 年，仍無法負(fù)擔(dān)制程轉(zhuǎn)換的成本，因此生產(chǎn)成本與競爭對手差距仍大。

2010 年 4 月，力晶宣布減資 38%，以彌補累積虧損。2010 年 H2 全部轉(zhuǎn)進 63 納米，每片產(chǎn)出增加 25%；2010 年 Q4 導(dǎo)入 45 納米，2011 年 H1 量產(chǎn)出貨，資金投入約 120-150 億元。

因爾必達(dá)與瑞晶 45 納米制程順利，提前采購 45 納米機臺，而調(diào)升 2010 年資本支出，資本支出從原先的 127 億元提升至 174.88 億元，增幅達(dá) 37％，其中 45 納米設(shè)備占 100 億元以上，2011 年到位的浸潤式機臺也從 2 臺提升到 4-5 臺。

2011 年 1 月，2Gb DDR3 DRAM 40 納米制程投片量產(chǎn)，預(yù)計年中全數(shù)轉(zhuǎn)進 40 納米，于下半年 100%轉(zhuǎn)進，并計劃于第四季投入 30 納米技術(shù)。公司自力研發(fā)的 40 納米快閃存儲也開始出貨，以手機用低電壓 NAND Flash 領(lǐng)域為主。公司接獲任天堂的 3DS 利基型存儲代工訂單。

同年 4 月，力晶與 Elpida 達(dá)成的 DRAM 產(chǎn)銷新協(xié)議，使公司的專利授權(quán)、技轉(zhuǎn)費用降低，并無償取得 Mobile DRAM 技術(shù)及銷售權(quán)，結(jié)合自行開發(fā)的 NAND 快閃存儲技術(shù)，將針對高速成長的行動應(yīng)用（Mobile Applications）新市場，提供完整的存儲產(chǎn)品組合。

力晶積極轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，以及加重行動型存儲、快閃存儲及代工業(yè)務(wù)營收，降低標(biāo)準(zhǔn) DRAM。截至 2011 年，產(chǎn)品比重方面，晶圓代工占 60%、DRAM 占 30%、Nand Flash 占 10%。晶圓代工領(lǐng)域包括 LCD 驅(qū)動 IC、CMOS Sensor、類比 IC、電源管理 IC。

自 2012 年起，NAND Flash 的投片量將正式超越 DRAM，且 DRAM 投片產(chǎn)能將永遠(yuǎn)性的降低至 20%以下。

DRAM 制程方面，2012 年將全部由 40 納米轉(zhuǎn)換至 30 納米，且均生產(chǎn) 4G 產(chǎn)品。

產(chǎn)能配置方面，至 2012 年 1 月晶圓代工每月投片量拉升至 6 萬片，標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 投片約 2 萬片，Nand Flash 約 6000 千片。

2012 年遭逢 DRAM 價格崩跌沖擊，力晶也在 2012 年 12 月 11 日下柜，當(dāng)日股價只剩 0.29 元，凈值變成負(fù)數(shù)投資人手上持股化為“壁紙”，遙想 2000 年一度高達(dá)八十元的股價，力晶投資人此次幾乎是干洗出場。

為替力晶留存一條生路，力晶集團執(zhí)行長黃崇仁除與債權(quán)銀行協(xié)商展延償債，也毅然將公司轉(zhuǎn)型為代工驅(qū)動 IC、電源管理 IC 與利基型記憶體等產(chǎn)品。

2013 年 4 月，力晶 P3 廠月產(chǎn)能約 2 萬片 12 寸廠設(shè)備及生產(chǎn)線由金士頓標(biāo)下，并由力晶代工。

2014 年 6 月，轉(zhuǎn)投資 LCD 驅(qū)動 IC 廠瑞力被 Synaptics 并購，力晶出售所有持股后，預(yù)期獲利約 36 億元，且與 Synaptics 達(dá)成協(xié)議維持合作關(guān)系，Synaptics 在整合 LCD 驅(qū)動 IC 及觸控 IC 的單芯片，將交由力晶生產(chǎn)。

2015 年，力晶申請通過與安徽合肥市政府合資成立合肥晶合集成電路公司（簡稱晶合集成），以總投資額約人民幣 135.3 億元興建 12 寸晶圓廠，計劃切入 LCD 驅(qū)動 IC 生產(chǎn)代工。一期廠房正式動土不到兩年就完工進行試產(chǎn)，今年第二季進入量產(chǎn)，月產(chǎn)能規(guī)模約為 1 萬片，并按計劃逐步增加，目標(biāo) 2019 年達(dá)每月 4 萬片產(chǎn)能規(guī)模。

力晶方面表示，在先進國家建廠一般需耗時兩年半到三年，晶合從動土興建到完工生產(chǎn)只花了一年半，實屬不易，也是力晶與合肥市政府雙方努力合作的成果。而晶合廠一旦投片完成也不會有所耽擱，因為馬上就有力晶臺灣廠轉(zhuǎn)移來的面板驅(qū)動 IC 訂單可做。

藉由轉(zhuǎn)型，力晶從 2013 年起連續(xù)幾年獲利百億元，已償還上千億元債務(wù)，擺脫紓困窘境，到 2015 年底每股凈值提高到 10.12 元，回到十元以上的票面值。這主要是因為當(dāng)時他看到中國半導(dǎo)體崛起的商機，瞄準(zhǔn)合肥為中國面板大廠京東方生產(chǎn)制造重鎮(zhèn)，有助取得 LCD 驅(qū)動 IC 訂單。

展望力晶“來世”

過去雖然有很多 DRAM 大廠倒閉，但也因這些廠退出，每個月少了 10 幾萬片的產(chǎn)能，近五年多來，未見有新 DRAM 廠投資，即使最近三星宣布新的資本支出，也未提及在 DRAM 的擴充。力晶目前也是少數(shù)能為客戶提供設(shè)計能力的專業(yè)記憶體代工廠。

對于力晶的未來，黃崇仁強調(diào)，DRAM 先進制程目前遭遇摩爾定律的極限，且新廠投資極為昂貴，但需求端已全靠個人電腦支撐，市場快速分散至智慧型手機、伺服器、網(wǎng)通和各項消費型電子。近期全球興起全面布建 5G，以及 AI 人工智慧和擴增實境（AR）和虛擬實境（VR）和物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用，讓 DRAM 和 NAND Flash 應(yīng)用更多元化，都將推升 DRAM 產(chǎn)業(yè)進入另一新的里程碑。

黃崇仁強調(diào)，雖然中國大陸想積極切入 DRAM 制程，但只要三大廠包括三星、SK 海力士和美光不移轉(zhuǎn)技術(shù)，中國大陸自行開發(fā)成功，路途難困。這也給臺灣 DRAM 廠包括力晶等很大的機會。力晶在還清積欠銀行團貸款后，已積極規(guī)劃重新上市。目前準(zhǔn)備先買回原本被銀行拍賣給金士頓的力晶 P3 廠 2 萬片生產(chǎn) DRAM 設(shè)備，交易金額暫不便透露。

在合肥建廠后，力晶又宣布擴大在臺投資，要砸 2780 億元在竹科銅鑼基地興建 2 座 12 寸晶圓廠，2020 年動工，預(yù)計第一期 2022 年投產(chǎn) 1.5 萬片，四期完成預(yù)計是 2030 年，屆時銅鑼廠總產(chǎn)能將達(dá) 10 萬片，至此力晶也躍居臺灣晶圓代工廠第三雄。

力晶集團旗下兩岸晶圓廠分工藍(lán)圖浮現(xiàn)，規(guī)劃斥資近 3，000 億元興建的 12 英寸新廠，將集中生產(chǎn)高壓制程金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、圖像傳感器（CIS）和基因定序檢測芯片；現(xiàn)有竹科的產(chǎn)能則集中火力發(fā)展 AI、物聯(lián)網(wǎng)和網(wǎng)通所需利基型內(nèi)存；LCD 驅(qū)動 IC 則逐步轉(zhuǎn)往大陸合肥。

在力晶分工藍(lán)圖浮現(xiàn)的背后，戲劇性的故事看似走上了正軌，但面臨晶圓代工行業(yè)巨頭割據(jù)的現(xiàn)狀，力晶的未來又被蒙上了一層霧紗，歷史的車輪滾滾向前，見證著力晶的輝煌、衰敗、轉(zhuǎn)型、成長以及未來的明朗和撲朔迷離 ……
責(zé)任編輯：tzh