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3nm工藝2022年量產(chǎn),效能提升15%!臺積電未來繼續(xù)引領(lǐng)2nm制程工藝風潮

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友原創(chuàng) ? 作者:章鷹 ? 2020-08-27 17:07 ? 次閱讀
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(電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹)8月26日,在2020年世界半導體大會高峰論壇上,臺積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球先生帶來了《前沿技術(shù),綠色產(chǎn)業(yè)》主題演講,2020年,臺積電市值傲視群雄,在芯片代工行業(yè)位居全球第一,這些成績的背后是什么?羅鎮(zhèn)球先生帶來了最新的解讀。

圖:臺積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球

8月12日,半導體市場研究公司IC Insights 公布2020年上半年前十大半導體廠商,晶圓代工龍頭臺積電續(xù)坐穩(wěn)前三強,營收年成長幅度高達四成。臺積電能夠在新冠疫情肆虐的2020年上半年業(yè)績一枝獨秀,與臺積電長期對技術(shù)研發(fā)的長期投入分不開。

圖片:來自IC insights

臺積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球認為,臺積電要保持現(xiàn)在的發(fā)展勢頭,研發(fā)投入必不可少。他說:“10年前,臺積電大概有2千多名的研發(fā)人員,現(xiàn)在已經(jīng)超過6千多人,在十年前臺積電每年研發(fā)的資金投入在10億美金左右,但在2020年研發(fā)將超過30億美金?!?/strong>

羅鎮(zhèn)球指出,臺積電2017年上半年推出7nm工藝,在2018年4月宣布7nm工藝生產(chǎn)線投入量產(chǎn),在同年10月完成了7nmEUV流片。2018年,臺積電7納米量產(chǎn),2020年進入量產(chǎn)的第三年,7納米制程已有140個以上的產(chǎn)品做批量生產(chǎn),臺積電預計產(chǎn)品數(shù)字到2020年底超過200。

2019年,臺積電在7nm基礎(chǔ)上結(jié)合了EUV的技術(shù),創(chuàng)造了一個新的工藝節(jié)點,叫6nm,是7nm工藝的延伸和擴展。6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術(shù),相比7nm+(N7+)增加了一個極紫外光刻層,同時相比7nm(N7)可將晶體管密度提升18%。到目前,臺積電7納米全球出貨超過10億顆芯片,應用領(lǐng)域包括CPU、GPU、通訊領(lǐng)域以及AI領(lǐng)域。

臺積電技術(shù)持續(xù)不斷向前推進,小步快走的發(fā)展模式。羅鎮(zhèn)球表示,2020年第三季度量產(chǎn)的5納米的良率,遠遠好于三年前的7納米。據(jù)悉,目前的臺積電5nm產(chǎn)能是6萬片晶圓/月,南科工業(yè)園的Fab 18工廠P3工程將于今年第四季度量產(chǎn),2021年第二季度P4工程還會進一步增加約1.7萬片晶圓/月。隨著這些工廠的擴產(chǎn),臺積電的5nm產(chǎn)能將從目前的6萬片晶圓/月,提升到接近11萬片/月。

羅鎮(zhèn)球還透露,臺積電將推出4nm工藝,芯片的性能、能效和晶體管密度會有進一步的提升,滿足更多產(chǎn)品的需求。4nm工藝將在2021年四季度開始風險試產(chǎn),2022年大規(guī)模量產(chǎn)。3nm工藝也在開發(fā)中,羅鎮(zhèn)球表示,同第一代的5nm工藝相比,3nm工藝將使芯片的性能提升15%,能耗降低30%,晶體管的密度提升70%。2022年3nm工藝產(chǎn)品可以大規(guī)模量產(chǎn)。

為什么先進工藝可以持續(xù)不斷推進?羅鎮(zhèn)球分析說,大家看重光刻機,除了光刻機之外還有很多技術(shù)在持續(xù)不斷推進,光刻機只解決面積問題,材料可以解決材料和功耗問題。比如石墨烯出現(xiàn)后,臺積電發(fā)現(xiàn)2D的原材料可行,芯片可以做得越來越薄,面積越來越小,當電子移動速度可以越來越快,當然可以不斷推進半導體性能越來越好,功耗越來越低,面積越來越小。未來我們會推出2nm工藝和1nm工藝,工藝技術(shù)進步的空間還是比較大。

羅鎮(zhèn)球說,臺積電在7年前推出先進封裝,就是把芯片阻隔起來之后再放到基板上?,F(xiàn)在的先進封裝往前推進,已經(jīng)分成前段的3D封裝和后段的3D封裝。“一個5nm芯片可以放入100億顆晶體管,采用先進的3D封裝就可以實現(xiàn)。先進封裝可以讓工程師IC設(shè)計變得更有效率。小芯片做異構(gòu)集成,對未來產(chǎn)生的變化非常大。”

在羅鎮(zhèn)球看來,先進工藝是在芯片上,用戶要感受到芯片的功能必須要有特殊工藝,臺積電擁有完整的特殊制程技術(shù)。包括MEMS、CMOS影響傳感器、射頻、BCD power,NVM(Non-Volatile Memory)。羅鎮(zhèn)球認為,特殊工藝在實現(xiàn)人機交互、人類感知和動作方面扮演關(guān)鍵角色。

為了應對物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備低功耗的要求,臺積電開發(fā)了N12e工藝技術(shù),在沒有犧牲速度和邏輯密度前提下,進一步提高效率,N12e在智能物聯(lián)、移動設(shè)備和其他產(chǎn)品應用帶來更多改變。

一個系統(tǒng)級產(chǎn)品做出來必須要有各種不同功能的芯片,如果在一個歸口上實現(xiàn)成本很高,而且可能無法實現(xiàn),一開始設(shè)計就把不同的功能切割好之后再在不同的工藝平臺做設(shè)計,再用最先進的工藝阻隔起來,這就是一個最有效而且成本最低的結(jié)果,而且先進的封裝是持續(xù)讓摩爾定律能夠往前推進的助力。原因是什么?不同的高度可以堆疊不同層數(shù)的芯片,這樣單位體積能夠容納數(shù)就越來越高。

TSMC展示的SoIC技術(shù)一個關(guān)鍵創(chuàng)新就是無須bump,只要將兩塊要堆疊的芯片的銅互聯(lián)做部分裸露并對準,之后即可通過熱處理工藝完成兩塊芯片的電路連接。這樣一來,兩塊堆疊芯片之間的走線密度以及信號傳輸功耗都可以大大改善。

羅鎮(zhèn)球最后分析說,臺積電的綠色制造分為三大環(huán)節(jié):第一、用的能耗要最小,第二、廢氣排放量最低,使用水資源要最小,另外排放出來的廢氣物處理以及數(shù)量要足夠降低,這些都是臺積電持續(xù)不斷努力的目標。臺積電臺灣工廠,在單位面積里臺積電使用能源最小,排出氣體最小的,用水量是最小的,臺積電工廠排出的廢氣物比其他先進國家和地區(qū)都少很多。

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