電子發(fā)燒友報(bào)道（文/黃洲）2020年第23屆中國(guó)集成電路制造年會(huì)暨廣東集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在廣州舉行，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯博士在會(huì)上介紹了中國(guó)集成電路中半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備在集成電路中占有重要地位，支撐著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。當(dāng)前在美國(guó)制裁下國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體自研步伐加速，中微是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，將為半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)方案與計(jì)劃。

一、集成電路設(shè)備和關(guān)鍵材料受制于美國(guó)

美國(guó)在5月15日出臺(tái)出口控制政策，將不允許任何芯片公司用涉及美國(guó)設(shè)備和技術(shù)，為華為海思的設(shè)計(jì)而制造芯片，控制國(guó)際先進(jìn)芯片公司不能給華為海思設(shè)計(jì)提供含美國(guó)設(shè)備和技術(shù)成本0%的芯片。再到8月17日又出臺(tái)新的政策，任何使用美國(guó)設(shè)備和軟件的華為生產(chǎn)產(chǎn)品的行為都是禁的，都需要獲得美國(guó)商業(yè)部的許可證。此后，美國(guó)開(kāi)始干預(yù)荷蘭，使其不能將先進(jìn)的深紫***交付給中芯國(guó)際，造成中芯國(guó)際不能開(kāi)發(fā)生產(chǎn)先進(jìn)芯片。

集成電路的發(fā)展離不開(kāi)半導(dǎo)體設(shè)備、關(guān)鍵零部件和材料的支撐，而我國(guó)目前在這方面存在短板，要實(shí)現(xiàn)發(fā)展半導(dǎo)體供給側(cè)，需要將半導(dǎo)體設(shè)備和材料提到重要地位，只有通過(guò)十年磨一劍的堅(jiān)持才能讓中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)入世界舞臺(tái)。

二、半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)分布

半導(dǎo)體微加工設(shè)備產(chǎn)業(yè)面臨巨大挑戰(zhàn)，首先是加工方式要求高、技術(shù)繁瑣，加工微觀(guān)納米結(jié)構(gòu)已經(jīng)接近物理極限，需要多個(gè)學(xué)科知識(shí)的運(yùn)用才能解決，難度可與當(dāng)年研發(fā)兩彈一星相提并論。同時(shí)集成電路芯片加工的工藝過(guò)程長(zhǎng)，需要幾百到幾千個(gè)步驟和十大類(lèi)300多種細(xì)分設(shè)備才能做出來(lái)。其次就是門(mén)檻高，需要大量的研發(fā)資金支撐，產(chǎn)期較長(zhǎng)，難以短時(shí)間內(nèi)看到回報(bào)；技術(shù)門(mén)檻也高，市場(chǎng)已被極少數(shù)國(guó)際大設(shè)備公司壟斷，十分耗時(shí)耗力。再就是產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)大，需要不斷提高設(shè)備的輸出量，降低產(chǎn)品價(jià)格。

經(jīng)過(guò)40年激烈競(jìng)爭(zhēng)，國(guó)際半導(dǎo)體工藝設(shè)備高度集中，形成三足鼎立局面，分別是美國(guó)應(yīng)用材料、美國(guó)科林、東京電子。從半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)分析來(lái)看，2014年到2019年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模翻了近2番，2019年增長(zhǎng)率達(dá)到37%，而國(guó)產(chǎn)設(shè)備占國(guó)內(nèi)設(shè)備市場(chǎng)的比例仍舊變化較小，在2019年所占的比例還低于2014所占的比例，反應(yīng)出國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備其實(shí)仍有較大增長(zhǎng)空間。

三、中微刻蝕和薄膜設(shè)備初步布局

中微公司是2019年首批科創(chuàng)板上市的公司，也是第一個(gè)突破市值1000億的公司，尹志堯說(shuō)：“市值并不反應(yīng)公司取得成就多大，而是說(shuō)明半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備領(lǐng)域受到大家關(guān)注。”眾所周知，等離子體刻蝕是工藝過(guò)程最復(fù)雜的步驟，中微半導(dǎo)體成中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的突出者，在等離子刻蝕方面取得突破進(jìn)展，中微的刻蝕的極深接觸孔直徑已經(jīng)能到50納米，深度2.0微米，深度直徑比達(dá)到40比1。

此外，CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)的5納米生產(chǎn)線(xiàn)，實(shí)現(xiàn)批量銷(xiāo)量，并在國(guó)內(nèi)主要芯片廠(chǎng)市占率達(dá)到35%到40%，此外MOCVD設(shè)備已成為藍(lán)光LED的國(guó)際內(nèi)外市場(chǎng)的首選設(shè)備，占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)85%以上，全球市場(chǎng)的60%以上。截止2019年底，公司的專(zhuān)利申請(qǐng)達(dá)到1468項(xiàng)，其中發(fā)明專(zhuān)利達(dá)到1297項(xiàng)，研發(fā)方面取得較好發(fā)展，同時(shí)也被福布斯中國(guó)評(píng)為2020年最具創(chuàng)新力的企業(yè)。

最后尹志堯談到中國(guó)芯片領(lǐng)域主要有以下3個(gè)問(wèn)題，首先，投資資金不平衡，投資芯片資金90%用于生產(chǎn)，在而在設(shè)備材料方面的投資只3%，這一數(shù)據(jù)在國(guó)外達(dá)到了70%；其次人才短缺，這一領(lǐng)域的從業(yè)人員與國(guó)外相比仍有較大家差距，同時(shí)人才穩(wěn)定率也偏低；再就是公司規(guī)模小，只有國(guó)際公司10%，可謂散兵游勇的狀態(tài)。

對(duì)此，需要政策方面進(jìn)行扶持，加大人才儲(chǔ)備，吸引國(guó)內(nèi)外高精尖人才來(lái)研發(fā)，展開(kāi)與科研院校合作，共同促進(jìn)研發(fā)水平提高，完成技術(shù)攻克。另外，面對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體公司在不斷“裂變”，大公司忙上市，小公司找融資的現(xiàn)象，需要半導(dǎo)體從業(yè)者剎住浮躁之氣，加強(qiáng)合作，形成合力，才能有利于整個(gè)市場(chǎng)運(yùn)行，也有利于個(gè)人的發(fā)展。

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