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芯片破壁者(六.上):摩爾定律一次次的“驚險(xiǎn)”續(xù)命

454398 ? 來(lái)源:alpha007 ? 作者:alpha007 ? 2022-11-30 15:00 ? 次閱讀
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1965 年,《電子》雜志在創(chuàng)刊 35 周年之際,邀請(qǐng)時(shí)任仙童半導(dǎo)體公司研究開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)室主任的摩爾,為其撰寫(xiě)一篇觀察評(píng)論,預(yù)測(cè)微芯片工業(yè)的前景。

此時(shí),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)才剛剛萌芽,英特爾公司都尚未成立,市面上生產(chǎn)和銷(xiāo)售的芯片更是屈指可數(shù)。

摩爾根據(jù)有限的數(shù)據(jù)大膽提出了一條被后人奉為圭臬的路線圖——處理器CPU)的功能和復(fù)雜性每 12 個(gè)月增加一倍,而成本卻成比例地遞減,也就是有名的摩爾定律。(1975 年,摩爾將 12 個(gè)月改為 18 個(gè)月,沿用至今)。

這篇名為“讓集成電路填滿(mǎn)更多的元件”的報(bào)告,就此指導(dǎo)了半導(dǎo)體乃至整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展步伐。

就連摩爾本人都沒(méi)有想到,這個(gè)定律的效力是如此持久。

2005 年,摩爾直言“Something like this can’t continue forever” ,認(rèn)為摩爾定律可能在 2010 至 2020 年達(dá)到極限而失靈,建立在硅基集成電路上的電子信息技術(shù)也將被另外一種技術(shù)所代替。

此后十幾年,不斷挑戰(zhàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極限的摩爾定律,也在一次次撞向“天花板”的時(shí)候“被死亡”。

關(guān)于摩爾定律的唱衰言論層出不窮。2014 年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織宣布,下一份路線圖將不再依照摩爾定律。臺(tái)積電張忠謀、英偉達(dá)黃仁勛等挑戰(zhàn)者更是“語(yǔ)出不遜”,認(rèn)定摩爾定律不過(guò)是茍延殘喘。

顯然,一切并沒(méi)有發(fā)生。集成電路芯片向 5nm 甚至 3nm 制程進(jìn)發(fā),依然是英特爾、三星、臺(tái)積電等半導(dǎo)體廠商孜孜以求的目標(biāo)。

硬挺到今天的摩爾定律,為何總能被成功“續(xù)一秒”,又是哪些黑科技在幫助它一次次“起死回生”?圍繞在它身上的傳奇和產(chǎn)業(yè)競(jìng)速到底能續(xù)寫(xiě)到什么時(shí)候?接下來(lái),我們就一起走進(jìn)——摩爾定律的驚魂夜。

薛定諤的摩爾定律之死

在抵達(dá)一個(gè)個(gè)驚險(xiǎn)刺激的歷史現(xiàn)場(chǎng)之前,有必要先跟大家聊聊摩爾定律持續(xù)“碰壁”的原因。

摩爾定律的定義,歷史上其實(shí)被更新過(guò)幾次,因此也形成了不同的版本和表達(dá)。比如:

集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔 18 個(gè)月便增加一倍;

微處理器的性能每隔 18 個(gè)月提高一倍,或價(jià)格下降一半;

相同價(jià)格所買(mǎi)的電腦,性能每隔 18 個(gè)月增加一倍。

正是沿著這個(gè)思路發(fā)展,電腦、電話等在強(qiáng)勁的處理器芯片加持之下,才有了低價(jià)格、高性能的可能,進(jìn)而得以應(yīng)用于社會(huì)每個(gè)的每個(gè)領(lǐng)域,成就了今天無(wú)處不在的信息生活,甚至徹底改變了人類(lèi)的生活方式。

而在過(guò)去的幾十年里,為了滿(mǎn)足摩爾定律,半導(dǎo)體行業(yè)算是堵上了自己的尊嚴(yán):

提升晶體管的密度與性能,成為微處理器按“摩爾定律”進(jìn)化最直接的方法要在微處理器上集成更多的晶體管,芯片制造工藝不斷向天花板逼近,制程節(jié)點(diǎn)不斷逼近物理極限。

1971 年英特爾發(fā)布的第一個(gè)處理器 4004,就采用 10 微米工藝生產(chǎn),僅包含 2300 多個(gè)晶體管。

隨后,晶體管的制程節(jié)點(diǎn)以 0.7 倍的速度遞減,90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm 等等相繼被成功研制出來(lái),最近的戰(zhàn)報(bào)是向 5nm、3nm 突破。

既然大趨勢(shì)如此成功,為什么“摩爾定律”還會(huì)被屢屢宣判失效、死亡呢?

任何一個(gè)對(duì)指數(shù)有所了解的人,都會(huì)明白這種增長(zhǎng)要無(wú)限地保持下去是不可能的?!霸黾右槐丁钡闹芷诙际?18 個(gè)月,意味著每十年晶體管的數(shù)量要提高一百倍。

摩爾自己在演講時(shí)也開(kāi)玩笑說(shuō),如果其他行業(yè)像半導(dǎo)體這樣發(fā)展的話,汽車(chē)現(xiàn)在應(yīng)該一升汽油就能跑幾十萬(wàn)公里,市中心每小時(shí)的停車(chē)費(fèi)可能比勞斯萊斯還要昂貴,還有可能汽車(chē)尺寸會(huì)縮小到兩寸長(zhǎng)根本無(wú)法載人……

因此,摩爾本人在談?wù)摗澳柖伞钡纳芷跁r(shí),更同意史蒂芬霍金的說(shuō)法。后者曾在被問(wèn)及集成電路的技術(shù)極限時(shí),提到了兩個(gè)限制:

一是光的極限速度,芯片的運(yùn)行速度距離光速還很遠(yuǎn);二是物質(zhì)的原子本質(zhì),晶體管已經(jīng)很接近原子的直徑(0.01 納米到 0.1 納米之間)。

也就是說(shuō),摩爾定律想要在當(dāng)下繼續(xù)發(fā)展,工程師們就不得不面臨與這兩個(gè)最基本的自然法則做斗爭(zhēng)。聽(tīng)起來(lái)是不是一個(gè)很艱難的挑戰(zhàn)?

體現(xiàn)在具體的產(chǎn)業(yè)難題上,就是隨著硅片上集成電路密度的增加,其復(fù)雜性和差錯(cuò)率也會(huì)呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的上升。

硅材料芯片被廣為詬病的便是高溫和漏電。集成電路部件發(fā)散的熱量,以及連線電阻增加所產(chǎn)生的熱量,如果無(wú)法在工作時(shí)及時(shí)散發(fā)出去,就會(huì)導(dǎo)致芯片“罷工”;

此外,晶體管之間的連線越來(lái)越細(xì),耗電也就成了大問(wèn)題。而且導(dǎo)線越細(xì),傳輸信號(hào)的時(shí)間也就越長(zhǎng),還會(huì)直接影響它們處理信號(hào)能力。如果電子能直接穿透晶體管中的二氧化硅絕緣層,就會(huì)觸發(fā)“量子隧穿效應(yīng)”,完全喪失功能。

要在指甲蓋大小的芯片上以?xún)|為單位來(lái)雕刻晶體管,難度就像從月球上精準(zhǔn)地定位到地球上的一平方米一樣,這種原子甚至量子級(jí)別的集成電路焊接與生產(chǎn),就對(duì)工藝精密度提出了更高的要求。

一邊芯片被要求越做越小,性能越來(lái)越高;一邊物理限制又需要晶體管之間保持一定的距離,可不為難死工程師了嘛。

同時(shí)別忘了,摩爾定律還被附加了經(jīng)濟(jì)色彩。除了性能之外,成本 / 價(jià)格的同時(shí)下降也被看做是基本要求。

體現(xiàn)到消費(fèi)級(jí)市場(chǎng),就是用戶(hù)們?cè)诿績(jī)赡?,用更少的錢(qián)買(mǎi)到性能更高的電腦、手機(jī)產(chǎn)品。

但是,技術(shù)研發(fā)投入與光刻設(shè)備的更新?lián)Q代,都需要半導(dǎo)體廠商耗費(fèi)大量的資金。

生產(chǎn)精密程度的不斷提升,也需要在制造環(huán)節(jié)投入更大的人力物力,一代代芯片生產(chǎn)線的設(shè)計(jì)、規(guī)劃、調(diào)試成本,也在以指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

以前,生產(chǎn) 130nm 晶圓處理器時(shí),生產(chǎn)線需要投資數(shù)十億美元,到了 90nm 時(shí)代則高達(dá)數(shù)百億,超過(guò)了核電站的投入規(guī)模。按照 IBS 的 CEO Handel Jones 的預(yù)測(cè),3nm 芯片的研發(fā)成本,甚至將達(dá)到 令人發(fā)指的 40 億至 50 億美元。

為了攤薄成本,半導(dǎo)體廠商不得不生產(chǎn)更多的芯片,這又會(huì)導(dǎo)致單片芯片的利潤(rùn)回報(bào)下降。

很顯然,半導(dǎo)體企業(yè)不可能長(zhǎng)期“既讓性能翻一倍,又讓價(jià)格降一倍”,如果 18 個(gè)月沒(méi)有收回成本,就要面臨巨大的資金壓力。

更為殘酷的是,受軟件復(fù)雜性等影響,芯片性能的提升在用戶(hù)感知度上也越來(lái)越弱。

上世紀(jì)八九十年代,晶體管數(shù)量增加帶來(lái)的性能加成是明顯的。比如奔騰處理器的速度就遠(yuǎn)高于 486 處理器,奔騰 2 代又比奔騰 1 代優(yōu)秀得多。

但正如大家所見(jiàn)的,進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái),芯片制程越來(lái)越小,但用戶(hù)對(duì)性能提升的感知度卻不如以往令人驚艷,更新?lián)Q代的買(mǎi)單欲望也能輕易被控制——等待更具性?xún)r(jià)比的計(jì)算硬件,鎖死了摩爾定律的增長(zhǎng)周期。

曾幾何時(shí),谷歌 CEO Eric Schmidt 被問(wèn)及會(huì)不會(huì)購(gòu)買(mǎi) 64 位“安騰”處理器時(shí),對(duì)方就表示“谷歌已經(jīng)決定放棄摩爾定律”,不準(zhǔn)備購(gòu)買(mǎi)這種在當(dāng)時(shí)看來(lái)的超級(jí)處理器。當(dāng)然,這一決定被歷史證明打臉了。

但也說(shuō)明,即使廠商完成了前期的燒錢(qián)游戲,也未必能在中短線消費(fèi)市場(chǎng)上完美收官。

總體而言,過(guò)去六十多年里,半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,正是在摩爾定律的推動(dòng)下實(shí)現(xiàn)的,一代代運(yùn)算速度更快的處理器問(wèn)世,讓人類(lèi)徹底走進(jìn)了信息時(shí)代。

與此同時(shí),在芯片焊接和生產(chǎn)已經(jīng)達(dá)到原子級(jí)別、接近量子級(jí)別的程度之后,摩爾定律也從指導(dǎo)行業(yè)進(jìn)化的“金科玉律”,逐漸變成了捆綁在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭上的緊箍咒。

想要繼續(xù)發(fā)揮作用,必須付出巨大的成本,讓行業(yè)舉步維艱、苦不堪言的同時(shí),不斷被唱衰也就成了摩爾定律的宿命。

性能、價(jià)格、市場(chǎng)預(yù)期,就如同三體世界里的三個(gè)太陽(yáng),在半個(gè)多世紀(jì)的時(shí)間里反復(fù)炙烤著摩爾定律。

接下來(lái),我們就一起回到幾個(gè)重要的“碰壁現(xiàn)場(chǎng)”,去看看摩爾定律是如何在一次次瓶頸期“驚險(xiǎn)”逃生、鞭策著整個(gè)行業(yè)繼續(xù)為之奮斗的。

第一次續(xù)命:從 MSI 到 VLSI,工匠之國(guó)日本的崛起

在此前的章節(jié)中,我們談?wù)摿艘?DRAM 為代表的 VLSI 超大規(guī)模集成電路的崛起,以及美國(guó)、日本在這個(gè)技術(shù)戰(zhàn)場(chǎng)上的世紀(jì)戰(zhàn)爭(zhēng)。

而摩爾定律,既是這場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)必然爆發(fā)的推動(dòng)力,也是產(chǎn)業(yè)版圖更迭的見(jiàn)證者。

了解歷史的人知道, 1975 年,在“摩爾定律”發(fā)布的十年后,摩爾本人對(duì)定律進(jìn)行了修改,將原本的“12 個(gè)月翻一倍”改為了“18 個(gè)月”。

當(dāng)時(shí),摩爾已經(jīng)離開(kāi)仙童,與別人一起創(chuàng)立了英特爾。而技術(shù)的挑戰(zhàn)也在此時(shí)拉開(kāi)序幕。

1975 年,英特爾公司準(zhǔn)備推出的一款電荷耦合器件(CCD)存儲(chǔ)芯片中,只有 3.2 萬(wàn)個(gè)元件,這比摩爾定律預(yù)測(cè)的千倍增長(zhǎng)整整少了一半。

第一個(gè)辦法當(dāng)然是修改定律,將產(chǎn)業(yè)周期從 12 個(gè)月延長(zhǎng)到 18 個(gè)月。摩爾在一次訪談中曾提及這次修改,不無(wú)消極地說(shuō),自己的論文只是試圖找到以最低成本生產(chǎn)微型芯片的方式——

“我覺(jué)得不會(huì)有人會(huì)按照它(摩爾定律)來(lái)制定商業(yè)計(jì)劃,可能是因?yàn)槲疫€沉浸在第一次預(yù)測(cè)正確的恐慌當(dāng)中。我不覺(jué)得還會(huì)有人關(guān)注這個(gè)預(yù)測(cè)?!?/p>

翻車(chē)的原因在于,摩爾定律提出的 1965 年,還是小規(guī)模集成電路(SSL)時(shí)代,芯片內(nèi)的元件不超過(guò) 100 個(gè)。此后,MSI(中規(guī)模集成電路)順利地?cái)[渡了十年,生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)步遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于芯片設(shè)計(jì),晶體管數(shù)量幾乎每年都會(huì)翻番,完美符合摩爾定律。

但接下來(lái),工程師們認(rèn)為要在單芯片上集成十萬(wàn)個(gè)晶體管,VLSI 階段正式來(lái)臨。與此同時(shí),DRAM 存儲(chǔ)器、微處理器 CPU 等芯片產(chǎn)品的出現(xiàn),在將芯片復(fù)雜度發(fā)揮到極致的同時(shí),也讓成本的經(jīng)濟(jì)性開(kāi)始引起重視。

當(dāng)時(shí),美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室完成了對(duì) VLSI 的技術(shù)突破,為什么最后卻是日本成功上位呢?

因?yàn)樾聲r(shí)期里,拯救摩爾定律的不是技術(shù)上的突破,而是商業(yè)價(jià)值上的精進(jìn)。

DRAM 是當(dāng)時(shí)最重要的半導(dǎo)體市場(chǎng)消費(fèi)品,而其制造的關(guān)鍵在于更細(xì)、更密集的電路。面臨的挑戰(zhàn)在于,隨著芯片上元件的增多,晶圓上的隨機(jī)缺陷影響加大,導(dǎo)致成品率降低,自然提高了芯片的生產(chǎn)成本,也讓廠商的收益不那么美好。

必須實(shí)現(xiàn)成本下降,才能延續(xù)摩爾定律。而日本產(chǎn)業(yè)對(duì)技術(shù)和經(jīng)濟(jì)的平衡,在此時(shí)發(fā)揮了重要的作用。

1976 年,日本以舉國(guó)之力啟動(dòng)了聞名遐邇的超大規(guī)模集成電路研究計(jì)劃。

由通產(chǎn)省技術(shù)專(zhuān)家和官員出面,集合了富士通、日立、三菱、日本電氣(NEC)和東芝等 5 家公司,共同設(shè)立了 VLSI 研究所。

日本在進(jìn)軍半導(dǎo)體市場(chǎng)時(shí)更注重改進(jìn)制程,而不是產(chǎn)品上有什么革命性的突破。日本 VLSI 研究所的目標(biāo),就是在微精細(xì)加工、工藝技術(shù)、元件技術(shù)等等課題上嘗試提升。

VLSI 項(xiàng)目實(shí)行了 4 年,于 1980 年結(jié)束,也確實(shí)誕生了豐碩的研究成果,大約有 1000 項(xiàng)發(fā)明獲得了專(zhuān)利,這對(duì)日本半導(dǎo)體的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力起到了重大作用。

與此同時(shí),注重制造技術(shù)也為日本半導(dǎo)體公司帶來(lái)了全球競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),雖然不像革命性產(chǎn)品那樣引人注目,但價(jià)格和質(zhì)量卻成為攻占市場(chǎng)的重要籌碼。

當(dāng)時(shí),業(yè)界每?jī)扇瓯銜?huì)推出新一代 DRAM,存儲(chǔ)能力以倍數(shù)上升,消費(fèi)者們也熱衷于升級(jí)存儲(chǔ)條。龐大的市場(chǎng)需求,撞上日本工業(yè)界對(duì)集成電路的改良,直接從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大本營(yíng)——美國(guó)手里搶走了不少市場(chǎng)份額。

1982 底,日本的第一代超大規(guī)模集成電路的 64K RAM 已經(jīng)占到國(guó)際市場(chǎng)的 66%,至此,日本在 DRAM 制造方面的全球領(lǐng)導(dǎo)地位奠定,也使其成為下一代微芯片的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。

正是日本在 VLSI 技術(shù)上的發(fā)力,讓摩爾定律得以繼續(xù)發(fā)揚(yáng)光大。到了 1980 年代,摩爾定律已經(jīng)被看到是“DRAM 準(zhǔn)則”,隨后,微處理器也出現(xiàn)在了曲線上。復(fù)雜度(晶體管的數(shù)量),以及芯片性能(處理器的操作速度),成為摩爾定律的主要預(yù)測(cè)對(duì)象,摩爾定律也從此時(shí)起成為業(yè)內(nèi)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn),不少微處理器和存儲(chǔ)器芯片企業(yè)根據(jù)這一趨勢(shì)來(lái)制定生產(chǎn)計(jì)劃、參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)。

制程工藝與經(jīng)濟(jì)性的正式融合,讓摩爾定律與半導(dǎo)體發(fā)展節(jié)奏,從 80 年代中期開(kāi)始,開(kāi)始變得密不可分。

接下來(lái),摩爾定律還會(huì)遇到哪些“要命”的挑戰(zhàn),英特爾為何被 IBM 狂打臉,讓芯片廠商改抱上游材料、設(shè)備廠商“大腿”的原因有哪些?我們的時(shí)光旅程將在《芯片破壁者(六 . 下)》中繼續(xù)……

審核編輯黃昊宇

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    一次消諧器對(duì)電力系統(tǒng)的核心貢獻(xiàn)

    一次消諧器(又稱(chēng) PT 一次消諧裝置)是安裝在電壓互感器一次側(cè)中性點(diǎn)與地之間的非線性電阻設(shè)備,主要應(yīng)用于3-66kV 中性點(diǎn)不接地或經(jīng)消弧線圈接地的中壓配電網(wǎng),對(duì)保障電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行具有不可替代
    的頭像 發(fā)表于 01-07 06:40 ?675次閱讀
    <b class='flag-5'>一次</b>消諧器對(duì)電力系統(tǒng)的核心貢獻(xiàn)

    解析一次消諧和二消諧的差異與應(yīng)用場(chǎng)景

    在電力系統(tǒng)中,消諧裝置是保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵設(shè)備,它可以有效消除諧振過(guò)電壓,避免因諧振引發(fā)的設(shè)備損壞和停電事故。一次消諧器和微機(jī)消諧裝置,都可以用于PT柜,保護(hù)電壓互感器。 一次消諧器和微機(jī)消諧
    的頭像 發(fā)表于 12-11 11:33 ?718次閱讀

    Chiplet,改變了芯片

    1965年,英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出了“摩爾定律”。半個(gè)多世紀(jì)以來(lái),這一定律推動(dòng)了集成電路(IC)性能的提升和成本的降低,并成為現(xiàn)代數(shù)字技術(shù)的基礎(chǔ)。摩爾定律指出,半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-17 08:33 ?3506次閱讀
    Chiplet,改變了<b class='flag-5'>芯片</b>

    電源芯片一次篩選:復(fù)雜流程下的高要求與高效應(yīng)對(duì)

    一次篩選:芯片可靠性的“第道防線”在集成電路從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全流程中,一次篩選是保障產(chǎn)品質(zhì)量的核心環(huán)節(jié)。它位于封裝測(cè)試階段前端,通過(guò)多維度的嚴(yán)格測(cè)試,如電性能測(cè)試、環(huán)境應(yīng)力篩選(如高低
    的頭像 發(fā)表于 08-15 08:48 ?1295次閱讀
    電源<b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>一次</b>篩選:復(fù)雜流程下的高要求與高效應(yīng)對(duì)

    廣州唯創(chuàng)電子WTN6040-8S語(yǔ)音芯片:為智能機(jī)注入清晰“聲”

    在智能家居深入千家萬(wàn)戶(hù)的今天,廚房小電的智能化升級(jí)已成為重要趨勢(shì)。作為健康飲食的好幫手,機(jī)正從單功能向智能交互體驗(yàn)邁進(jìn)。廣州唯創(chuàng)電子推出的WTN6040-8S高性能語(yǔ)音芯片,以其
    的頭像 發(fā)表于 08-15 08:41 ?898次閱讀
    廣州唯創(chuàng)電子WTN6040-8S語(yǔ)音<b class='flag-5'>芯片</b>:為智能<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)注入清晰“聲”<b class='flag-5'>命</b>力

    智能客服驅(qū)動(dòng)效率和體驗(yàn)升級(jí),上海電信+昇騰AI的一次民生應(yīng)用實(shí)踐

    上海電信+昇騰AI的一次民生應(yīng)用實(shí)踐
    的頭像 發(fā)表于 07-30 23:44 ?3115次閱讀
    智能客服驅(qū)動(dòng)效率和體驗(yàn)升級(jí),上海電信+昇騰AI的<b class='flag-5'>一次</b>民生應(yīng)用實(shí)踐

    晶心科技:摩爾定律放緩,RISC-V在高性能計(jì)算的重要性突顯

    運(yùn)算還是快速高頻處理計(jì)算數(shù)據(jù),或是超級(jí)電腦,只要設(shè)計(jì)或計(jì)算系統(tǒng)符合三項(xiàng)之即可稱(chēng)之為HPC。 摩爾定律走過(guò)數(shù)十年,從1970年代開(kāi)始,世界領(lǐng)導(dǎo)廠商建立晶圓廠、提供制程工藝,在28nm之前取得非常大的成功。然而28nm之后摩爾定律
    的頭像 發(fā)表于 07-18 11:13 ?4566次閱讀
    晶心科技:<b class='flag-5'>摩爾定律</b>放緩,RISC-V在高性能計(jì)算的重要性突顯

    晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?2619次閱讀
    晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

    跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫(xiě)3nm以下芯片游戲規(guī)則

    。 然而,隨著摩爾定律逼近物理極限,傳統(tǒng)掩模設(shè)計(jì)方法面臨巨大挑戰(zhàn),以2nm制程為例,掩膜版的每個(gè)圖形特征尺寸僅為頭發(fā)絲直徑的五萬(wàn)分之,任何微小誤差都可能導(dǎo)致芯片失效。對(duì)此,新思科技
    的頭像 發(fā)表于 05-16 09:36 ?6380次閱讀
    跨越<b class='flag-5'>摩爾定律</b>,新思科技掩膜方案憑何改寫(xiě)3nm以下<b class='flag-5'>芯片</b>游戲規(guī)則
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