三星近日已開始生產(chǎn)5nm LPE半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn),芯片即將面世
在第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中，三星電子向所有人公布了其代工廠和節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)開發(fā)的最新信息。在過(guò)去一年左右的時(shí)間里，三星的代工廠一直以7nm LPP（低功耗性能）作為其最小節(jié)點(diǎn)。據(jù)外媒TECHPOWERUP消息，三星近日已開始生產(chǎn)5nm LPE（低功耗早期）半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)，首批芯片即將面世。
為了證明新節(jié)點(diǎn)運(yùn)行良好，三星還表示其將是高通驍龍875 5G SoC的唯一制造商。新的5nm半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)比過(guò)去的7nm節(jié)點(diǎn)略有改進(jìn)，它具有10％的性能提升（采用相同的功率和芯片復(fù)雜度）或相同處理器時(shí)鐘和設(shè)計(jì)的20％的功耗降低。
關(guān)于密度，該公司發(fā)布的節(jié)點(diǎn)的晶體管密度是前一個(gè)節(jié)點(diǎn)的1.33倍。5LPE節(jié)點(diǎn)采用極紫外（EUV）方法制造，其FinFET晶體管具有新特性，例如Smart Difusion Break隔離、靈活的觸點(diǎn)放置以及針對(duì)低功率應(yīng)用的單翅片設(shè)備。
三星5nm LPE節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)規(guī)則與先前的7nm LPP節(jié)點(diǎn)兼容，因此可以在此新工藝上使用和制造現(xiàn)有IP。這意味著這不是一個(gè)全新的過(guò)程，而是一個(gè)增強(qiáng)。
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%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
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