從去年底開始，DRAM內(nèi)存市場價格下滑趨勢已經(jīng)止住了，在停電、火災(zāi)等意外因素影響下開始漲價，2021年全球內(nèi)存漲價已經(jīng)是定局。

集邦旗下的搬到套研究中心DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截止2月3日，8Gb DDR4內(nèi)存顆粒報價已經(jīng)達(dá)到了3.93美元，而去年8月份的報價是2.54美元，去年12月底也才漲到3美元左右。

這意味著，從去年8月到現(xiàn)在的半年時間里，內(nèi)存現(xiàn)貨價格已經(jīng)上漲了55%，50%以上的漲幅可以說非常驚人了，這還只是內(nèi)存漲價的開始。

不過與以往相比，2021年的內(nèi)存市場還多了一個變數(shù)，那就是中國廠商加入戰(zhàn)局，目前主力是合肥長鑫，2019年量產(chǎn)了19nm工藝的DDR4、LPDDR4內(nèi)存，并已經(jīng)用在了多家國產(chǎn)內(nèi)存品牌中。

在全球內(nèi)存版圖中，三星、SK海力士及美光是三大巨頭，合計占據(jù)全球95%以上的產(chǎn)能，其他廠商的份額非常小，后來的競爭者面臨著強(qiáng)大的壓力。

對國產(chǎn)廠商來說，2021年內(nèi)存漲價是個極好的機(jī)遇，但面臨的挑戰(zhàn)也不少，主要來自于技術(shù)及產(chǎn)能上的。

相比三星等廠商進(jìn)軍第三代、第四代10nm級內(nèi)存工藝（1Znm之后），國產(chǎn)內(nèi)存的19nm工藝還是第一代的，好在合肥長鑫之前已經(jīng)表態(tài)會攻克17nm工藝，達(dá)到第二代10nm級工藝的水平，同時還會推出DDR5、LPDDR5等新標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存。

至于產(chǎn)能，合肥長鑫也在快速擴(kuò)張中，2020年Q4季度預(yù)計月產(chǎn)能可達(dá)4.5萬片晶圓，今年底可達(dá)8.5萬片晶圓/月。

當(dāng)然，跟全球內(nèi)存每月至少130萬片晶圓的產(chǎn)能相比，國產(chǎn)內(nèi)存依然任重道遠(yuǎn)，這依然是個卡脖子技術(shù)的關(guān)鍵。
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