三星電子近期調(diào)整了今年的DRAM投資計劃。據(jù)悉，該公司位于韓國平澤的P2工廠第一季度12英寸晶圓的投片量從3萬/月提升至4萬/月，年度DRAM投片量即將從6萬片增加到7萬片。

韓媒指出，三星在第一季度的投片量約為年度規(guī)劃的60%左右。該公司將大部分投入集中在一季度，意味著將加速產(chǎn)能擴張。

三星在2019年末大批量生產(chǎn)了100萬顆采用1x-nm工藝和EUV技術(shù)的DRAM。緊接著在去年年初，三星電子首次宣布將研發(fā)分別使用了ArF-i技術(shù)和EUV技術(shù)的1z-nm DRAM。如今，三星已經(jīng)在量產(chǎn)的1z-nm DRAM上應(yīng)用了EUV技術(shù)。

目前三星對采用1z-nm工藝的8GB DDR4、12GB LPDDR5和16GB LPDDR5進行了EUV技術(shù)升級。

12GB LPDDR5和16GB LPDDR5 DRAM已經(jīng)應(yīng)用在三星Galaxy S21 5G系列的手機中，其中S21、S21+和S21 Ultra 三款手機于2021年1月發(fā)布。

三星Galaxy S21 Ultra的RAM中使用的是12GB LPDDR5芯片，而S21和S21+手機的RAM組件中使用了16GB LPDDR5芯片。

三星1z-nm工藝的生產(chǎn)效率比以前的1y-nm工藝高出15％以上。D/R（Design Rule）從1y-nm工藝的17.1nm降低到1z-nm工藝的15.7nm，核心尺寸也從53.53mm2減小到43.98mm2，比之前縮小了約18％。

三星電子將其最先進的1z-nm工藝與EUV光刻技術(shù)集合在了12GB LPDDR5芯片上，而同樣基于1z-nm工藝的16 GB LPDDR5芯片則使用了非EUV光刻技術(shù)。

與此同時，三星電子也考慮擴大對NAND閃存的投資。近日，西安市2021年市級重點建設(shè)項目計劃發(fā)布，其中包括三星（中國）半導體有限公司12英寸閃存芯片二期二階段項目。

另外，三星還計劃擴張代工產(chǎn)能。據(jù)悉，該公司決定將平澤P2工廠的5納米生產(chǎn)線規(guī)模從現(xiàn)有的2.8萬片增加到4.3萬片。值得一提的是，三星將原本引入的計劃用于DRAM制造的EUV光刻機改為代工使用，以因應(yīng)5納米代工迅速增長的需求。

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