第三代半導(dǎo)體材料碳化硅和氮化鎵被寫(xiě)入了“十四五”規(guī)劃
近段時(shí)間，功率器件的關(guān)注熱度再次升級(jí)，除了斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電等功率器件廠商正加大產(chǎn)能建設(shè)，華為、小米、OPPO等手機(jī)廠商也在積極投資布局，功率器件相關(guān)熱門(mén)的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅和氮化鎵更是被寫(xiě)入了“十四五”規(guī)劃。
近幾年新能源汽車、5G基站和變頻家電強(qiáng)勢(shì)發(fā)展，給功率器件帶來(lái)了新的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)，另外快充，特高壓、城際高鐵交通等對(duì)功率器件的需求也在快速增長(zhǎng)，據(jù)Yole 預(yù)測(cè)，到2025年全球功率器件市場(chǎng)或達(dá)225億美元，2019到2025 年復(fù)合增長(zhǎng)率4.28%。
在新興應(yīng)用需求及政策的支持推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)功率器件近年來(lái)發(fā)展也是相當(dāng)迅速，據(jù)芯謀研究統(tǒng)計(jì)，中國(guó)企業(yè)有5家進(jìn)入全球前20名，其中安世半導(dǎo)體更是進(jìn)入前十，位居第九。
責(zé)任編輯：lq
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31296瀏覽量
266877 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2227瀏覽量
95526 -
5G基站
+關(guān)注
關(guān)注
13文章
785瀏覽量
40557
原文標(biāo)題：干貨 | 全球功率半導(dǎo)體廠家！
文章出處：【微信號(hào)：wc_ysj，微信公眾號(hào)：旺材芯片】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
碳化硅 VS 氮化鎵：第三代半導(dǎo)體的“雙雄對(duì)決”
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率，逐步取代傳統(tǒng)硅器件，成為電源系統(tǒng)的“
博世第三代碳化硅芯片：性能躍升20%，重構(gòu)電動(dòng)汽車效率新標(biāo)桿
2026年4月，博世正式推出第三代碳化硅芯片，以“綜合性能提升20%”為核心突破，通過(guò)全球產(chǎn)能布局與技術(shù)革新，為電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)注入高效能量控制新動(dòng)能，標(biāo)志著碳化硅半導(dǎo)體在電動(dòng)出行領(lǐng)域
基本半導(dǎo)體推出第三代碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產(chǎn)品
基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)，基本半導(dǎo)體推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7三款頂部散熱封裝產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品聚焦工業(yè)與車載功率電子應(yīng)用的實(shí)際痛點(diǎn)，在芯片性能與封裝設(shè)計(jì)上進(jìn)行
氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案
摘要隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料SiC碳化硅因其優(yōu)異的物理和電學(xué)性能，在IGBT單管等高性能器件中得到了廣泛應(yīng)用。絕緣方案作為影響SiC
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立，當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立，當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和
發(fā)表于 01-31 08:46
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃?b class='flag-5'>碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃?b class='flag-5'>碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
青禾晶元常溫鍵合方案，破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題
性能提出極限要求，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù)，已成為延續(xù)摩爾定律、突破性能瓶頸的關(guān)鍵。然而，傳統(tǒng)高
第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解；
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表；而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)
第三代半導(dǎo)體碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導(dǎo)熱絕緣墊片
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC
材料與應(yīng)用：第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓
SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體
評(píng)論