SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片
韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
HBM3 DRAM內(nèi)存芯片將搭載高性能數(shù)據(jù)中心可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起，可以顯著提高人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)運(yùn)算的性能，并且也提升了專用計(jì)算加速卡單片容量以及帶寬的性能。
SK海力士的首款HBM3將會(huì)以16GB和24GB兩種容量上市。早在去年，SK海力士就已經(jīng)首次實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)HBM2E DRAM，可以提高人工智能完成度的機(jī)器學(xué)習(xí)和分析氣候變化工作。
SK 海力士成功開發(fā)業(yè)內(nèi)首款 HBM3 DRAM鞏固了自身在高端內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，滿足客戶們的日常發(fā)展需求。
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發(fā)表于 09-17 09:29
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