臺積電正式公布了其 N2（2 納米級）制造技術(shù)，該技術(shù)計劃于 2025 年某個時間投入生產(chǎn)，并將成為臺積電第一個使用其基于納米片的柵極全方位場效應(yīng)的節(jié)點晶體管（GAAFET）。新節(jié)點將使芯片設(shè)計人員能夠顯著降低其產(chǎn)品的功耗，但速度和晶體管密度的改進似乎不太明顯。

從功能集的角度來看，臺積電的 N2 看起來是一項非常有前途的技術(shù)。至于實際數(shù)字，臺積電承諾 N2 將讓芯片設(shè)計人員在相同功率和晶體管數(shù)量下將性能提升 10% 至 15%，或者在相同頻率和復(fù)雜度下將功耗降低 25% 至 30%，同時，與N3E 節(jié)點相比，芯片密度增加了 1.1 倍以上。

臺積電3nm（N3）工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而臺積電首度推出采用納米片晶體管（GAAFET）架構(gòu)的2nm（N2）制程工藝，將于2025年量產(chǎn)。

臺積電的第一家2nm工廠位于臺灣北部新竹縣寶山附近的工廠。就在今年6月 5日臺積電宣布將投資1 萬億新臺幣擴大2nm工藝芯片的產(chǎn)量。配合臺積電2納米建廠計劃，中科臺中園區(qū)擴建二期開發(fā)計劃如火如荼展開。臺積電供應(yīng)鏈透露，臺積電在中科除了規(guī)劃2納米廠，后續(xù)的1納米廠也可能落腳此處。

目前，臺積電的2nm開發(fā)已經(jīng)走上正軌，魏哲家表示，臺積電2納米技術(shù)去年已經(jīng)進入技術(shù)開發(fā)階段，著重于測試載具的設(shè)計與實作、光罩制作、以及硅試產(chǎn)?？偟膩碚f，臺積電采用新工藝技術(shù)的速度越來越慢。傳統(tǒng)上，臺積電每兩年使用一個全新節(jié)點開始生產(chǎn)。臺積電的 N7于 2018 年 4 月開始爬坡，N5 于 2020 年 4 月進入 HVM，但 N3 僅在 2022 年下半年用于商業(yè)生產(chǎn)。對于N2，我們顯然看到了更長的節(jié)奏，這也說明了工藝節(jié)點越來越難研發(fā)和攻克。

來源：鈦媒體，半導(dǎo)體行業(yè)觀察綜合整理

審核編輯 ：李倩