臺(tái)積電2nm和3nm制程工藝
臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
據(jù)了解，與5nm芯片相比，臺(tái)積電3nm芯片功耗降低34%，性能提升18%，邏輯晶體管密度提高1.6倍，采用FinFlex技術(shù)，有望在今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。與3nm芯片相比，臺(tái)積電2nm芯片性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，采用GAAFET技術(shù)，預(yù)計(jì)在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
臺(tái)積電將在未來幾年推出四種3nm衍生制程工藝，計(jì)劃于2025年將成熟和專業(yè)制造節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能提升50%，將在多地建設(shè)大量新晶圓廠。
綜合整理自半導(dǎo)體行業(yè)觀察、鈦媒體APP
審核編輯：湯梓紅
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