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NP2309EMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-06 15:03 ? 次閱讀
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描述

NP2309EMR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備

適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -20v, id = -5a

RDS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 46米Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

?ESD額定電壓:2500V HBM

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開關(guān)

?SOT-23-6L

poYBAGLFMzyABbbGAAByhx6EsuQ078.png

訂購信息

poYBAGLFM1mAbBcPAAA5QgdtnJA806.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLFM3yAB1RiAACMKxL9WyY203.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLFM5SAFS4uAAIbQ7Be1Cc174.png

注:

a.表面安裝在FR4板上,t≤10秒

B.脈沖測試:脈寬≤300μs,占空比≤2%

C.設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)

熱特性

poYBAGLFM6-AWYTvAAAbl2Doey0717.png

審核編輯 黃昊宇

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