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NP2305VR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-08 11:43 ? 次閱讀
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描述

NP2305VR采用了先進(jìn)的塹壕技術(shù)

提供卓越的RDS(ON)

?V

,低柵極電荷和

工作電壓低至1.8V。這

該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

DS = -20 v, ID

R

= -4.2

DS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -4.5 v

R DS(上)(Typ) = 49米Ω@VGS

?高功率和電流處理能力

= -2.5 v

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開關(guān)

?SOT-23

poYBAGLHp1-Ae-P3AABfWO8bOE4182.png

訂購信息

poYBAGLHp3WAa0oYAAA2PmK00Vo322.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLHp4uAemiMAADNqbioZEk148.png

poYBAGLHp5SAdqTuAAA73b5tj2A596.png

熱特性

poYBAGLHp6iAc6vPAABShQod2KQ601.png

注:

a:TC = 25℃。b:表面安裝在1“x 1”FR4板上。

c:t = 5 s。d:穩(wěn)態(tài)條件下最大為175°c /W。

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLHp8CAe6fQAAIf9F1-YKo167.png


審核編輯 黃昊宇

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