日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

NP50P03D6 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源:微雨問(wèn)海棠 ? 作者:微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-13 11:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

描述

NP50P03D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用

作為負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。

一般特征

?VDS = -30v, id = -50a

RDS(上)(Typ) = 5.8Ω@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 9.9Ω@VGS = -4.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

?150℃的工作溫度

?100% ui測(cè)試

應(yīng)用程序

? PWM 應(yīng)用 程序

? Load 開關(guān)

?不間斷電源

?PDFN5 * 6-8L-A

poYBAGLOOJ2AALRqAADH1k6QkYo470.png


訂購(gòu)信息

pYYBAGLOOOaABBf2AAA57_fi1rI858.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLOOQ6ACt_gAAC4zWiGfa0771.png

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

pYYBAGLOOSyAVwjhAAJudSGDVJs186.png

熱特性

pYYBAGLOOU2AA_YCAABl-TdagwA581.png

答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測(cè)量的。銅,在靜止的空氣環(huán)境中

T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。目前的評(píng)級(jí)是基于

t≤10s熱阻額定值。

B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 單片機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6078

    文章

    45603

    瀏覽量

    674324
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    10850

    瀏覽量

    235173
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Onsemi NTF5P03和NVF5P03 P溝道MOSFET的技術(shù)剖析與應(yīng)用探討

    和NVF5P03是采用SOT - 223表面貼裝封裝的P溝道功率MOSFET,額定電流為 - 5.2A,耐壓為 - 30V。它們具備超低的導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)}) ,僅為10
    的頭像 發(fā)表于 04-20 09:30 ?174次閱讀

    Onsemi P溝道雙MOSFET NTMD3P03和NVMD3P03的特性與應(yīng)用

    和NVMD3P03這兩款P溝道雙MOSFET,以其出色的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,受到了工程師們的關(guān)注。下面我們就來(lái)詳細(xì)了解一下這兩款器件。 文件下載: NTMD3P03R2-D.PDF
    的頭像 發(fā)表于 04-19 16:45 ?656次閱讀

    onsemi NTMD3P03和NVMD3P03 MOSFET:高性能雙P溝道解決方案

    NTMD3P03和NVMD3P03是安森美公司生產(chǎn)的雙P溝道功率MOSFET,采用SOIC - 8封裝。它們的額定電壓為 - 30V,連續(xù)
    的頭像 發(fā)表于 04-19 11:00 ?406次閱讀

    onsemi NTLJS17D0P03P8Z P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用分析

    onsemi NTLJS17D0P03P8Z P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用分析 作為電子工程師,在設(shè)計(jì)電路時(shí),MOSFET是常用的功率開關(guān)器件。今天我們來(lái)深入了解一下 onsemi
    的頭像 發(fā)表于 04-14 09:40 ?450次閱讀

    深入解析 NTLJS14D0P03P8Z P 溝道 MOSFET

    深入解析 NTLJS14D0P03P8Z P 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們來(lái)深入了解 ON Semiconduc
    的頭像 發(fā)表于 04-14 09:40 ?461次閱讀

    深入剖析 NTMFS005P03P8Z 單通道 P 溝道功率 MOSFET

    深入剖析 NTMFS005P03P8Z 單通道 P 溝道功率 MOSFET 引言 在電子工程的世界里,功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件,對(duì)眾
    的頭像 發(fā)表于 04-13 16:40 ?151次閱讀

    安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET深度解析

    NTMFSS0D9N03P8是一款單N溝道功率MOSFET,具有30V的耐壓能力,最大連續(xù)漏極電流可達(dá)294A,在10V柵源電壓下,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至1.0mΩ,在4.5
    的頭像 發(fā)表于 04-10 15:20 ?207次閱讀

    探索 onsemi NTTFD4D1N03P1E MOSFET:高效設(shè)計(jì)之選

    的是 onsemi 推出的 NTTFD4D1N03P1E 功率型 N 溝道 MOSFET,它采用 PowerTrench Power Clip 技術(shù)和對(duì)稱雙路設(shè)計(jì),在 30V 應(yīng)用場(chǎng)景中具有出色的性能表現(xiàn)。 文件
    的頭像 發(fā)表于 04-10 11:15 ?187次閱讀

    深入解析 onsemi NTTFD2D8N03P1E 功率 MOSFET

    NTTFD2D8N03P1E 是 onsemi 推出的一款對(duì)稱雙 N 溝道功率 MOSFET,采用 PowerTrench Power Clip 技術(shù),具有 30V 的耐壓能力。其小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm)非常適
    的頭像 發(fā)表于 04-10 10:35 ?293次閱讀

    深入解析NVTFS015P03P8Z P溝道MOSFET:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)考量

    (onsemi)的NVTFS015P03P8Z P溝道MOSFET,了解其特性、應(yīng)用場(chǎng)景以及設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮的因素。 文件下載: NVTFS015P03P8Z-D.PDF 一、產(chǎn)品特性亮
    的頭像 發(fā)表于 04-08 15:10 ?231次閱讀

    SGMPM21330:30V P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用

    SGMPM21330:30V P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET是一種常用的功率開關(guān)器件。今天我們來(lái)深入了解SG Micro Corp推出的SGMPM2133
    的頭像 發(fā)表于 03-20 16:00 ?227次閱讀

    選型手冊(cè):VS3508AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配低壓電
    的頭像 發(fā)表于 12-24 13:01 ?1124次閱讀
    選型手冊(cè):VS3508AS <b class='flag-5'>P</b> 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS3510AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配低壓電源
    的頭像 發(fā)表于 12-16 11:46 ?597次閱讀
    選型手冊(cè):VS3510AS <b class='flag-5'>P</b> 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    ?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 11-24 15:54 ?1078次閱讀
    ?onsemi NTMFS003<b class='flag-5'>P03P</b>8Z <b class='flag-5'>P</b>溝道<b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    N溝道MOSFET的漏極-源極電壓 ( ~VDS~ ) 為30V,柵極-源極電壓 ( ~VGS~ ) 為±20 V,漏極電流為294A。NTMFSS0D9N03P8
    的頭像 發(fā)表于 11-24 15:35 ?811次閱讀
    onsemi NTMFSS0<b class='flag-5'>D9N03P</b>8 N溝道功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南
    赤壁市| 常德市| 台南县| 新竹县| 绥德县| 青铜峡市| 沙湾县| 彩票| 三门峡市| 理塘县| 库尔勒市| 萨迦县| 马公市| 左云县| 湾仔区| 苗栗市| 理塘县| 大余县| 朝阳市| 延庆县| 莒南县| 永靖县| 阜新| 江西省| 雅江县| 永嘉县| 辛集市| 资中县| 天全县| 丰顺县| 汉寿县| 肇州县| 太仆寺旗| 筠连县| 巧家县| 垣曲县| 福海县| 鹿邑县| 抚州市| 通河县| 门头沟区|