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NP3401YMR 30V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-15 09:39 ? 次閱讀
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描述

NP3401YMR采用先進的戰(zhàn)壕

提供卓越的RDS(ON)技術

一般特征

、低門

充電和工作的柵極電壓低至2.5V。

本裝置適用于作為負載開關或中壓開關

脈寬調制的應用程序。

?VDS = -30 v, ID

R

= -4.2

DS(上)(Typ) = 59 mΩ@VGS

R

= -4.5 v

DS(上)(Typ) = 76Ω@VGS

?高功率和電流處理能力

= -2.5 v

?獲得無鉛產品

?表面安裝包

應用程序

?PWM程序

?負荷開關

? SOT-23-3L

pYYBAGLQxGaAaOLvAABp85CvpKQ342.png

訂購信息

poYBAGLQxHyATJAyAAA1h3T_fq8560.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLQxQCAMf4AAACfVhEQcbU054.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLQxRyAc5Q0AAJs7pIf-cM961.png

熱特性

pYYBAGLQxTOALSOnAABmwjl_ypU058.png

A.將設備安裝在1in2fr -4板上,用2oz測量RθJA的值。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與

助教

B.功耗PD是根據T計算的

= 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。

J(MAX)=150°C,使用≤10s的結到環(huán)境熱阻

C.重復額定值,脈寬受結溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責

循環(huán)來保持initialTJ

d R

= 25°C。

θJA是從結到引線RθJL的熱阻抗之和

典型的性能特征

審核編輯 黃昊宇

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