NP4409SR 30V p通道增強模式MOSFET
描述
NP4409SR采用先進的溝槽技術
設計為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON)
電荷。可用于負載開關和電池
保護應用程序。
一般特征
?VDS = -30v, id = -15a
RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -10 v
RDS(上)(Typ) = 8.3Ω@VGS = -4.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
應用程序
?電池保護
? Load 開關
包
?SOP-8
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
答:R qJA是用設備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅，在靜止的空氣環(huán)境中
T = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。目前的評級是基于
t≤10s熱阻額定值。
B: R qJA是從結到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和。
審核編輯 黃昊宇
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