瑞盟MS35711T器件是一款步進(jìn)電機(jī)控制器, 它使用外部 N 溝道MOSFET 來驅(qū)動一個雙極步進(jìn)電機(jī)或兩個刷式直流電機(jī)。完美替代TI DRV8711。 MS35711T 支持全步進(jìn)到 1/256 步進(jìn)驅(qū)動模式。通過使用自適應(yīng)消隱時間和包括自動混合衰減模式在內(nèi)的多種不同的電流衰減模式, 可實現(xiàn)非常平滑的運動過程。 電機(jī)運動采用標(biāo)準(zhǔn)的 DIR/STEP 控制方法。器件運行通過一個 SPI 串行接口控制。 輸出電流(扭矩)、步進(jìn)模式、衰減模式和堵轉(zhuǎn)檢測功能都可以通過 SPI 串行接口進(jìn)行編程。
主要特點
PWM 調(diào)制微步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動控制器
內(nèi)置 256 細(xì)分
可選 STEP/DIR 接口控制或者直接 PWM 控制接口
直接 PWM 控制邏輯包括 IN1,IN2 控制和 EN,PH 控制
靈活的衰減模式
SPI 串行接口控制
帶可選 BEMF 輸出的堵轉(zhuǎn)檢測
8V-55V 電源電壓范圍
驅(qū)動雙 N 功率管,預(yù)驅(qū)能力可調(diào)整
完備的保護(hù)功能:過流保護(hù),過熱保護(hù),欠壓保護(hù)
故障指示位



審核編輯 黃昊宇
-
步進(jìn)馬達(dá)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
37瀏覽量
8601
發(fā)布評論請先 登錄
探索 onsemi FDPF2710T N 溝道 MOSFET:性能與應(yīng)用解析
探索 onsemi FDPF33N25T N 溝道 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用
FDPF44N25T:高性能N溝道UniFET? MOSFET解析
Onsemi N溝道UniFET MOSFET:高性能開關(guān)利器
LT1336:高效半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動芯片的全面解析
LT1160:高效半/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器的設(shè)計與應(yīng)用
選型手冊:VSE011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VST018N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VSP004N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VSD011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VSD090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VSE090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動的新突破
選型手冊:VST002N06MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
使用外部N溝道MOSFET驅(qū)動的步進(jìn)馬達(dá)MS35711T
評論