雙鑲嵌 (Dual-Damascene）和多層金屬互連接 (Multi-Interconnection)通孔-1（V1）和金屬-2 （M2）互連的形成是通過雙鑲嵌 (Dual -Damascene)工藝實現(xiàn)的，如圖所示。

雙鑲嵌工藝分為先通孔 （Via-First） 和先溝槽(Trench-First）兩種技術(shù)。以先通孔技術(shù)為例，首先沉積IMD2層（如 SiCN層，厚度約為 50nm，含碳低kPECVD 氧化硅黑金剛石層厚度約為 600nm），然后形成V1的圖形并進行刻蝕。多層IMD1 的主要作用是提供良好的密封和覆蓋更加多孔的低k介質(zhì)。 為了平坦化，需要在通孔中填充底部抗反射涂層 （Bottom-Ani-Rellective Coatings, BARC)，并沉積一層 LTO (Low Temperature Oxide)。隨后形成M2 的圖形并刻蝕氧化物，去除 BARC 并清洗后，沉積 Ta / TaN 阻擋層和 Cu 籽晶層，隨后進行 Cu 填充（使用 ECP 法），并進行 CMP 平坦化，這樣 M2 互連就形成了。 通過重復(fù)上述步驟，可以實現(xiàn)多層銅互連。相應(yīng)的，先溝槽技術(shù)的雙鑲嵌工藝就是先實施 M2 溝槽制備再形成 V1 的圖形并刻蝕氧化物，然后沉積阻擋層和籽晶層，最后進行 Cu 填充和 CMP 平坦化。

審核編輯 ：李倩