根據Omdia的數據，2020年全球功率MOSFET的市場規(guī)模為81億美元，在新能源汽車，工業(yè)控制、5G通訊等市場需求的加持下，全球增速將保持高速增長，預測在2025年將達到118.47億美元。

MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬與數字電路的場效應晶體管。MOSFET 器件具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，是功率半導體的基礎器件。

從汽車電子的應用場景看，MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅動系統(tǒng)中的變速箱控制器以及制動、轉向控制，都離不開MOSFET。相比較于燃油汽車而言，新能源汽車的智能化、電動化的發(fā)展，加快了市場對MOSFET需求的進程，比如DC/DC的高壓MOSFET、OBC 中的超級結MOSFET等需求激增，以滿足實際運行中，對工作電流和電壓的更高要求。

MDD辰達半導體憑借多年的行業(yè)經驗與技術積累，在夯實二極管、三極管、整流橋的產品基礎上，積極布局MOSFET系列產品，從產品規(guī)劃、質量、工藝等方面取得重大突破。目前MDD面向汽車電子、電源、工控、消費電子等應用場景，推出三種工藝MOSFET系列產品，為客戶提供高可靠、高性能的解決方案。

PlanarMOSFET

采用業(yè)界最新的平面技術設計制造而成，具有低導通損耗，高雪崩能量，高可靠性，更好的EMI兼容性等特點。高壓平面MOSFET產品涵蓋500V-700V系列電壓范圍，如MDD7N65D，MDD20N50P，MDD12N65F等可滿足各種電源系統(tǒng)的需求（主要照明驅動、適配器）。

TrenchMOSFET

采用先進的Trench 技術設計制造而成，產品具有抗沖擊能力強，高雪崩能力，高可靠性等特點。該系列產品涵蓋N/P 20V~120v電壓范圍，如MDD2301，MDD15N10D，MDD2306等針對不同應用領域對器件性能的需求特點采用不同的設計方案，是器件在各個應用場合性能最佳?？蓮V泛應用消費類電子通用器件，小電流等。

SGTMOSFET

采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設計及工藝制造技術，全面提升了器件的開關特性和導通特性，同時降低了器件的特征導通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產品涵蓋30V~150V，如MDDG04R1P9G，MDDG10R08P， MDDG10R08D可廣泛應用于電機驅動、同步整流等領域中。

審核編輯：湯梓紅