晶圓（Wafer-KGD）：650V Super-junction Power MOSFET
*All the data based on TO-220 package, unless otherwise specified.
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5451瀏覽量
132812
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
XZ1801H內(nèi)置 650V MOSFET 輸出12V/18V 0.6A恒壓調(diào)節(jié)器芯片
概述
XZ1801H 是一款內(nèi)置 650V MOSFET，高效低成本離線式恒壓調(diào)節(jié)器，主要用于 Buck 和 Buck- Boost 拓?fù)?。XZ1801H 默認(rèn) 12V輸出電壓，外圍器件少，降低
發(fā)表于 04-15 11:37
芯塔電子最新推出650V/185mΩ多封裝SiC MOSFET
芯塔電子最新推出650V/185mΩ多封裝SiC MOSFET，為工業(yè)與消費(fèi)級(jí)應(yīng)用提供高性能解決方案。該系列產(chǎn)品兼具高耐壓、低損耗與高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于工業(yè)電源、電動(dòng)汽車(chē)充電、光儲(chǔ)逆變器等多種場(chǎng)景。
探索 onsemi NTPF125N65S3H：高性能 650V N 溝道 MOSFET 的卓越表現(xiàn)
探索 onsemi NTPF125N65S3H：高性能 650V N 溝道 MOSFET 的卓越表現(xiàn) 在電力電子領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著各種電源系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性
onsemi NTP095N65S3HF 650V N溝道MOSFET深度解析
onsemi NTP095N65S3HF 650V N溝道MOSFET深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率MOSFET的選擇至關(guān)重要，它直接影響著電源系統(tǒng)的性能、效率和可靠性。今天，我們就來(lái)
智測(cè)電子 TC Wafer 晶圓有線測(cè)溫系統(tǒng) 半導(dǎo)體高精度多點(diǎn)測(cè)溫方案
智測(cè)電子 TC Wafer 晶圓有線測(cè)溫系統(tǒng) 半導(dǎo)體高精度多點(diǎn)測(cè)溫方案 在半導(dǎo)體制造的核心制程中，晶圓表面溫度直接決定工藝良率與產(chǎn)品品質(zhì)。智
深入剖析NTD360N65S3H：高性能650V N溝道MOSFET
深入剖析NTD360N65S3H：高性能650V N溝道MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi
探索 onsemi NTH4LN040N65S3H 650V N 溝道功率 MOSFET
探索 onsemi NTH4LN040N65S3H 650V N 溝道功率 MOSFET 在電子工程領(lǐng)域，功率 MOSFET 是電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的元件。今天要為大家詳細(xì)介紹 onsemi 推出
探究 onsemi FCP190N65S3 650V N 溝道 MOSFET 特性與應(yīng)用
探究 onsemi FCP190N65S3 650V N 溝道 MOSFET 特性與應(yīng)用 引言 在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。它們廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換
Wolfspeed最新推出TOLT封裝650V第四代MOSFET產(chǎn)品組合
在 AI 數(shù)據(jù)中心和可再生能源系統(tǒng)等高要求應(yīng)用的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)正加速發(fā)展。Wolfspeed 于近期最新推出 TOLT (TOLL-T) 封裝 650V 第四代 (Gen 4
瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對(duì)大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)(Robustness-Validation)。該試驗(yàn)嚴(yán)格遵循AEC-Q101
龍騰半導(dǎo)體650V 99mΩ超結(jié)MOSFET重磅發(fā)布
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
東芝推出三款最新650V SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
永源微APJ14N65D-650V N-Channel增強(qiáng)模式MOSFET
：
VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ）
應(yīng)用：
不間斷電源
功率因數(shù)校正 (PF
發(fā)表于 07-15 16:22
新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹(shù)立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50
東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092
評(píng)論