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為你的智能座駕選擇適宜的存儲器

英尚微電子 ? 2021-07-29 16:44 ? 次閱讀
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從人工駕駛到輔助駕駛再到全自動駕駛,社會正在將人為操縱的一切轉(zhuǎn)向電子控制。尤其是近兩年,L3甚至以上的汽車越來越多,自動駕駛和現(xiàn)實(shí)的距離就差“一小步”。

簡單解釋一下什么是L0、L1、L2、L3、L4、L5級別:針對自動駕駛的等級劃分,目前主要有兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn),一是美國交通部下屬的NHSTA(國家高速路安全管理局)制定的,另外則是SAE International(國際汽車工程師協(xié)會)所制定的。通常來說,大家還是使用SAE進(jìn)行區(qū)分。

縱觀整個(gè)市場,現(xiàn)在的汽車究竟搭載了多少復(fù)雜的功能?自動泊車、碰撞警告、主動剎車、ACC自適應(yīng)巡航、VSA車聯(lián)網(wǎng)檢查、ISA電子警察系統(tǒng)、TMC實(shí)時(shí)交通系統(tǒng)、360環(huán)視、并線輔助、LDWS車道偏移警告系統(tǒng)、HMW車距檢測及警告、FCWS前車防撞預(yù)警系統(tǒng)、PED行人檢測、車道保持系統(tǒng)……

對于智能汽車最為重要的是什么?是毫無延遲的快速反應(yīng),是毫厘之間的秒開體驗(yàn),是無縫對接的交互。數(shù)據(jù)量膨脹之下,除了算力,數(shù)據(jù)本身所在的存儲載體是影響這些的首要因素。

問題來了,你知道怎么選擇內(nèi)存嗎?下面存儲芯片供應(yīng)商英尚國際有限公司為大家介紹一下一些用于汽車應(yīng)用中的存儲芯片。

MRAM

MRAM涉及汽車應(yīng)用。對于碰撞記錄器,MRAM可以在事故發(fā)生時(shí)收集和存儲更多數(shù)據(jù),并幫助確定車輛事故或故障的原因。

使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù),因此閃存難以保持這種數(shù)據(jù)流。新的安全氣囊系統(tǒng)還具有傳感器,用于檢測和記錄乘客的體重,與車輛上其他安全裝置的相互作用以及碰撞的影響。

其他汽車系統(tǒng),例如里程表,輪胎氣壓記錄儀和ABS,需要頻繁地對內(nèi)存進(jìn)行寫操作,而這些寫操作很容易超過閃存的寫擦除功能,并且會耗盡其內(nèi)存。MRAM具有無限的寫循環(huán)能力,可確保為安全氣囊和ABS等關(guān)鍵任務(wù)設(shè)備提供更可靠的系統(tǒng)。

FRAM

VCU系統(tǒng)需要以每秒一次的速度記錄汽車行駛的當(dāng)前狀態(tài)以及出現(xiàn)故障時(shí)的變速器擋位、加速情況、剎車和輸出扭矩等信息,采用FRAM技術(shù)可以通過較簡單的軟件進(jìn)行存儲和讀取,同時(shí)保證了高速可靠。例如富士通汽車標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品MB85RS2MLY,其讀寫次數(shù)可達(dá)10兆次,范圍為-40°C至+125°C,非常適合于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用(例如,連續(xù)10年每天記錄0.1秒的數(shù)據(jù),則寫入次數(shù)將超過30億次),具有極高的數(shù)據(jù)寫入穩(wěn)定性和可靠性。

對于BMS(電池管理系統(tǒng))這一新能源汽車的另一大核心技術(shù)來說,這些特性同樣重要。電池管理系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)記錄和存儲數(shù)據(jù),其系統(tǒng)將以每秒或每0.1秒的頻率實(shí)時(shí)和連續(xù)地記錄電池的重要數(shù)據(jù)(故障信息、健康狀況SOH和電量計(jì)量SOC等),同時(shí)監(jiān)測電池的短期(最后幾個(gè)充電周期為60次/秒)和長期(電池的整個(gè)壽命)性能。舉例來說一般情況下電池組的電量保持在30%~75%表示運(yùn)行正常,如果有不平衡的情況需要從其他電池組補(bǔ)充,此時(shí)系統(tǒng)需要檢測記錄電池組的電量、溫度、電壓、電流等數(shù)據(jù),并且一次監(jiān)測記錄的時(shí)間不宜過長。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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