在積極推進先進制程研發(fā)的同時，英特爾正在加大先進封裝領(lǐng)域的投入。在這個背景下，該公司正在馬來西亞檳城興建一座全新的封裝廠，以加強其在2.5D/3D封裝布局領(lǐng)域的實力。據(jù)了解，英特爾計劃到2025年前，將其最先進的3D Foveros封裝產(chǎn)能擴增至目前的四倍，同時還向客戶開放其先進封裝解決方案，使其能夠靈活選擇。

外界普遍預(yù)測，隨著英特爾整合了先進制程和先進封裝的優(yōu)勢，其在晶圓代工領(lǐng)域?qū)兊酶吒偁幜Α＿@將進一步與臺積電、三星等廠商展開市場份額的爭奪，未來這三家巨頭在晶圓代工市場的競爭將變得更加引人注目。

同時，英特爾還在不斷加強自身的封裝能力，而且表示愿意將先進封裝方案開放給客戶選擇。這可能會在封測市場引發(fā)一系列的變動，對專業(yè)半導(dǎo)體封測廠如日月光、艾克爾等產(chǎn)生影響。

就在臺積電和三星都在積極發(fā)展先進封裝技術(shù)時，英特爾也在該領(lǐng)域不斷創(chuàng)新。英特爾的先進封裝包括2.5D EMIB和3D Foveros方案。整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，從晶圓代工到先進封裝，三家巨頭之間的競爭態(tài)勢得以延伸。

英特爾在2017年引入了EMIB封裝技術(shù)，而第一代Foveros封裝則在2019年推出，其凸點間距為50微米。預(yù)計今年下半年，英特爾將推出基于第二代Foveros封裝技術(shù)的最新Meteor Lake處理器，凸點間距將進一步縮小至36微米。

盡管英特爾沒有透露目前的3D Foveros封裝產(chǎn)能，但它強調(diào)，在除了美國奧勒岡州和新墨西哥州之外，檳城新廠也將有相關(guān)產(chǎn)能布局，三個地點的3D封裝產(chǎn)能合計預(yù)計將在2025年增加至目前的四倍。

英特爾副總裁Robin Martin在接受采訪時強調(diào)，檳城新廠將成為英特爾最大的3D Foveros先進封裝中心。

此外，英特爾還在兩年前宣布投資35億美元擴展新墨西哥州的先進封裝產(chǎn)能，該項目至今仍在進行中。至于檳城新廠，英特爾表示，建設(shè)進展順利，外界估計該新廠可能在2024年底或2025年完工投產(chǎn)。

值得注意的是，英特爾不僅僅在晶圓代工和封裝方面展開了整合，它還開放了選擇其先進封裝方案的選項，旨在使客戶能夠更加靈活地生產(chǎn)產(chǎn)品。

在英特爾首席執(zhí)行官基辛格的領(lǐng)導(dǎo)下，公司正在實施IDM 2.0戰(zhàn)略，不僅增加了自身晶圓廠的產(chǎn)能，還在擴大晶圓代工業(yè)務(wù)的同時，希望能夠更靈活地利用第三方的晶圓代工產(chǎn)能。

隨著先進制程的發(fā)展，小芯片（Chiplet）和異構(gòu)整合的趨勢變得更加明顯，英特爾的2.5D/3D先進封裝布局不僅能夠增強其處理器等產(chǎn)品的實力，還能成為其在爭取更多晶圓代工業(yè)務(wù)方面的一個重要賣點。

審核編輯 黃宇