SELA是通過(guò)刻痕和斷裂的雙重過(guò)程制備樣品，獲得高質(zhì)量截面。標(biāo)準(zhǔn)的制備過(guò)程包括以下兩個(gè)主要階段：

? 通過(guò)一個(gè)兩級(jí)精密微裂解的設(shè)備，來(lái)制備已經(jīng)預(yù)設(shè)定寬度并已做好裂解位置標(biāo)記點(diǎn)的晶片段；

? 通過(guò)精密的納米裂解設(shè)備，來(lái)制備已經(jīng)做好裂解位置標(biāo)記點(diǎn)的截面樣品。

季豐電子可以精準(zhǔn)、快速地獲得樣品截面，并在一分鐘內(nèi)完成單個(gè)樣品的裂解（包括切割目標(biāo)的兩側(cè)），并確保樣品擁有微米級(jí)的精度和極高的截面質(zhì)量。配備軟件和算法，可實(shí)現(xiàn)在半自動(dòng)裂解過(guò)程中精確地完成定點(diǎn)裂片。

設(shè)備規(guī)格指標(biāo)

硅晶片：任何標(biāo)準(zhǔn)的晶片材料，單芯片。

硅片類型：<100>

截面精度：±5 微米，1西格瑪（單工藝和SDO工藝）

附加材料：砷化鎵、磷化銦、或者其他具有正交晶體矢量的單晶結(jié)構(gòu)。

晶片樣品厚度：80~1000um

審核編輯：劉清