11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域有廣泛需要，現(xiàn)已通過多家知名客戶評估測試，逐步批量交付應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

IV2Q171R0D7Z是瞻芯電子的第二代碳化硅(SiC) MOSFET中1700V平臺的產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15~18V，室溫下導(dǎo)通電流為6.3A。該產(chǎn)品采用車規(guī)級TO263-7貼片封裝，對比插件封裝，體積更小，阻抗更低，安裝更簡便，且有開爾文柵極引腳。因此該產(chǎn)品特別適合高電壓、小電流、低損耗的應(yīng)用場景。

特點(diǎn)概括：

高壓、低導(dǎo)通電阻

高速、寄生電容小

高工作結(jié)溫

快速恢復(fù)體二極管

目前，瞻芯電子開發(fā)的1700V碳化硅(SiC) MOSFET系列產(chǎn)品，包括了3種導(dǎo)通電阻：1Ω、10Ω、50Ω，同時(shí)有2種封裝形態(tài)：TO263-7與TO247-3，還有無封裝的裸芯片產(chǎn)品，如下表：

典型應(yīng)用

輔助電源

開關(guān)電源

智能電表

參考設(shè)計(jì)：1000V 200W反激電源

憑借1700V碳化硅(SiC) MOSFET耐高壓的能力，瞻芯電子采用IV2Q171R0D7Z開發(fā)了一款高達(dá)1000V寬幅電壓輸入的反激電源方案，最大功率200W，效率高達(dá)88.5%，待機(jī)損耗僅0.3W。

該反激電源采用小功率的 DC-DC 的拓?fù)洌饕糜?00-1000V高壓直流輸入，變換為24V低壓輸出。本方案對比采用硅(Si)器件的傳統(tǒng)輔源，損耗顯著降低，在輸出功率100W以下或短時(shí)間工作條件下，無須風(fēng)扇冷卻。

該方案的實(shí)物圖如下：

核心元器件：

IV2Q171R0D7Z：1700V 1Ω SiC MOSFET in TO263-7

IVCR1801：單通道 高速柵極驅(qū)動(dòng)芯片，拉/灌電流為4A/8A

審核編輯：劉清