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安世半導(dǎo)體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

安世半導(dǎo)體 ? 來源:安世半導(dǎo)體 ? 2023-12-04 10:39 ? 次閱讀
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基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。

NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后 Nexperia 將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同 RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對高性能 SiC MOSFET 的需求。

Nexperia高級總監(jiān)兼 SiC 產(chǎn)品部主管 Katrin Feurle 表示:

Nexperia 和三菱電機希望通過這兩款首發(fā)產(chǎn)品為市場帶來真正的創(chuàng)新,這個市場一直渴望更多的寬禁帶器件供應(yīng)商。Nexperia 現(xiàn)可提供 SiC MOSFET 器件,這些器件在多個參數(shù)上都具有一流的性能,例如超高的 RDS(on) 溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比,能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量 SiC MOSFET 的開篇之作。毫無疑問,在未來幾年里,我們將共同推動 SiC 器件性能的發(fā)展。

三菱電機半導(dǎo)體與器件部功率器件業(yè)務(wù)高級總經(jīng)理 Toru Iwagami 表示:

我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET,這也是我們合作推出的首批產(chǎn)品。三菱電機在SiC功率半導(dǎo)體方面積累了豐富的專業(yè)知識,我們的器件實現(xiàn)了多方面特性的出色平衡。

RDS(on)會影響傳導(dǎo)功率損耗,是 SiC MOSFET 的關(guān)鍵性能參數(shù)。Nexperia 認(rèn)為這是目前市場上許多 SiC 器件性能的限制因素。但是通過創(chuàng)新工藝技術(shù),Nexperia 的首款 SiC MOSFET 實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性,在 25℃ 至 175℃ 的工作溫度范圍內(nèi),RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加 38%。這與市場上其他許多目前可用的 SiC 器件不同。

Nexperia SiC MOSFET的總柵極電荷(QG)非常低,由此可實現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動損耗。此外,Nexperia 通過平衡柵極電荷,使QGD與QGS比率非常低,這一特性又進(jìn)一步提高了器件對寄生導(dǎo)通的抗擾度。

除了正溫度系數(shù)外,Nexperia SiC MOSFET 的 VGS(th)閾值電壓器件間分布差異極低,這使得器件并聯(lián)工作時,在靜態(tài)和動態(tài)條件下都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外,較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率,同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。

Nexperia 未來還計劃推出車規(guī)級 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 現(xiàn)已投入大批量生產(chǎn)。請聯(lián)系 Nexperia 銷售代表獲取全套 SiC MOSFET 樣品。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有15,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅定承諾。

Nexperia:效率致勝。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:新品快訊 | Nexperia 首款 SiC MOSFET 提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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