日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-01-16 15:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上,至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。

至信微的SiC芯片以其卓越的性能和領(lǐng)先的指標(biāo),再次證明了公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。尤其是1200V/7mΩ這款產(chǎn)品,其強(qiáng)大的性能指標(biāo)和極具競爭力的成本優(yōu)勢,使得其在市場中獨(dú)樹一幟。

至信微副總經(jīng)理王仁震在會上表示,SiC芯片的高良率是實(shí)現(xiàn)這一優(yōu)勢的關(guān)鍵因素。得益于公司先進(jìn)的制程技術(shù)和嚴(yán)格的質(zhì)量控制,至信微的晶圓裸片具有超高良率,從而確保了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

此次新品發(fā)布不僅展示了至信微在半導(dǎo)體領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力,也表明公司致力于創(chuàng)新和研發(fā)的決心。至信微將繼續(xù)秉承科技創(chuàng)新、品質(zhì)卓越的理念,為廣大客戶提供更優(yōu)質(zhì)、更可靠的產(chǎn)品和服務(wù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54463

    瀏覽量

    469677
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266778
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3874

    瀏覽量

    70200
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET:國產(chǎn)替代的價(jià)格革命

    一、什么是 1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET? 1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET 是一種耐壓 1200 伏、典型導(dǎo)通電阻
    的頭像 發(fā)表于 04-25 10:16 ?313次閱讀

    新品 | 儲能系統(tǒng)EconoPACK? 3 TRENCHSTOP? IGBT 1200V H7模塊

    新品儲能系統(tǒng)EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模塊兩款新型EconoPACK3B模塊采用1200V/500A三電平NPC1拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),一款集成NTC溫度傳感器
    的頭像 發(fā)表于 03-30 17:06 ?2305次閱讀
    新品 | 儲能系統(tǒng)EconoPACK? 3 TRENCHSTOP? IGBT <b class='flag-5'>1200V</b> H<b class='flag-5'>7</b>模塊

    芯塔電子推出1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM4G0012120K

    芯塔電子近日推出新一代1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0012120K。該產(chǎn)品集成了多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新,為工業(yè)電源、新能源、充電樁、電動汽車等高端應(yīng)用提供核心功率解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:33 ?718次閱讀
    芯塔電子推出<b class='flag-5'>1200V</b>/12<b class='flag-5'>m</b>Ω TO-247-4封裝<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產(chǎn)品TM4G0012120K

    芯塔電子推出1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM4G0016120K

      芯塔電子近日推出新一代1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0016120K。該產(chǎn)品集成了多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新,為工業(yè)電源、新能源、充電樁、電動汽車等高端應(yīng)用提供核心功率解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:30 ?716次閱讀
    芯塔電子推出<b class='flag-5'>1200V</b>/16<b class='flag-5'>m</b>Ω TO-247-4封裝<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產(chǎn)品TM4G0016120K

    芯塔電子推出1200V/32mΩ SMPD封裝SiC模塊TFF068C12SS3

      芯塔電子近日推出1200V/32mΩ SMPD封裝SiC模塊——TFF068C12SS3。該產(chǎn)品集成了多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新,為電動汽車、電動飛行器、新能源等高壓大功率應(yīng)用場景提供了性能卓越的解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 14:48 ?414次閱讀
    芯塔電子推出<b class='flag-5'>1200V</b>/32<b class='flag-5'>m</b>Ω SMPD封裝<b class='flag-5'>SiC</b>模塊TFF068C12SS3

    新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V

    溫度傳感器,具有1200V耐壓和4mΩ導(dǎo)通電阻,專為電動汽車電驅(qū)動系統(tǒng)與電動航空生態(tài)系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號:■FF4MR12W2M1HP_B11_A
    的頭像 發(fā)表于 01-22 17:05 ?1477次閱讀
    新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET <b class='flag-5'>M</b>1H EasyDUAL? <b class='flag-5'>1200V</b>

    2ED1322S12M/2ED1321S12M1200V半橋柵極驅(qū)動器的卓越之選

    2ED1322S12M/2ED1321S12M1200V半橋柵極驅(qū)動器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。今天,
    的頭像 發(fā)表于 12-20 11:30 ?1924次閱讀

    安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:19 ?953次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅MOSFET:NTH4L013N120<b class='flag-5'>M</b>3S的特性與應(yīng)用分析

    1200V-23mΩ SiC FET(UF4SC120023B7S):高性能功率開關(guān)的新選擇

    在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率開關(guān)器件至關(guān)重要。今天,我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET,看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來
    的頭像 發(fā)表于 12-02 11:19 ?1358次閱讀
    <b class='flag-5'>1200V-23m</b>Ω <b class='flag-5'>SiC</b> FET(UF4SC120023B<b class='flag-5'>7</b>S):高性能功率開關(guān)的新選擇

    基于SiC MOSFET的T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方案

    以下是基于B3M010C075Z(750V)和B3M013C120Z(1200VSiC MOSFET的 T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方
    的頭像 發(fā)表于 08-10 14:57 ?1413次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET的T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方案

    加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,三安光電在投資者平臺上表示,其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13m
    的頭像 發(fā)表于 08-10 03:18 ?8705次閱讀

    派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品

    近日,派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下,5mm × 5mm
    的頭像 發(fā)表于 08-05 15:19 ?1940次閱讀
    派恩杰<b class='flag-5'>發(fā)布</b>第四代<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET系列產(chǎn)品

    新品 | 針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    CoolSiCMOSFET技術(shù)1200V、17mΩ,配備NTC和PressFIT壓接技術(shù)。另一個(gè)模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)1200V、100A,配備
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:04 ?1167次閱讀
    新品 | 針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基模塊

    瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

    近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?1534次閱讀
    瞻芯電子第3代<b class='flag-5'>1200V</b> 35<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

    聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

    在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn),高功率電壓系統(tǒng)對1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V SiC功率器件成為行業(yè)競相攻堅(jiān)的焦點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?1473次閱讀
    肇源县| 许昌市| 页游| 麻江县| 枣庄市| 岳普湖县| 华阴市| 平山县| 淮北市| 伊宁市| 金堂县| 平顶山市| 瓦房店市| 南江县| 东海县| 大新县| 利川市| 乌什县| 洮南市| 鸡东县| 南木林县| 天门市| 安福县| 新源县| 桐乡市| 保德县| 全州县| 彰武县| 辽宁省| 灌云县| 垣曲县| 芦山县| 聊城市| 徐汇区| 凤山市| 富顺县| 淮安市| 万山特区| 家居| 新民市| 松原市|