今天，國內(nèi)又新增1個SiC襯底項目；2024一開年，國內(nèi)就有7個SiC項目傳新進展，詳情請往下看。

博藍特：新建SiC襯底項目

今天（1月18日），據(jù)“丹陽延陵鎮(zhèn)”消息，江蘇省丹陽市延陵鎮(zhèn)或?qū)⒁M1個碳化硅襯底項目，項目建設(shè)方為浙江博藍特半導體。

據(jù)介紹，延陵鎮(zhèn)黨委書記張金偉于今天會見了博藍特董事長徐良等一行，并陪同他們實地考察了位于鳳凰工業(yè)園區(qū)的2宗地塊。

考察中，雙方就博藍特第三代半導體碳化硅襯底項目落地延陵鎮(zhèn)進行了深度洽談，博藍特計劃在延陵鎮(zhèn)投資10億元建設(shè)年產(chǎn)25萬片的6-8英寸碳化硅襯底，該項目建成后預計可實現(xiàn)年銷售收入15億元。

企查查顯示，博蘭特成立于2012年，致力于GaN基LED芯片（圖形化）襯底、第三代半導體材料碳化硅、MEMS智能傳感器的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，2023年4月，延陵鎮(zhèn)已與博藍特簽訂了戰(zhàn)略合作，此次實地考察將進一步推動該碳化硅襯底項目的落地。

爍科、合盛、連城數(shù)控等多個SiC項目加速推進

2024年以來，國內(nèi)多個SiC項目傳新進展，包括爍科、合盛、連城數(shù)控等：

● 1月15日，誠盛科技舉辦了“麒思大功率器件項目發(fā)布會暨功率半導體高峰論壇”，并公布了該SiC項目的具體進度——項目位于高郵經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，主要生產(chǎn)大功率器件、SiC、IGBT模塊封測等產(chǎn)品，總投資9億元。項目分兩期實施，一期投入4.8 億元，預計將于今年8月量產(chǎn)，可年產(chǎn)分立器件3.3億只、模塊120萬只。

●1月15日，飛仕得在官微宣布，其“SiC器件智能動態(tài)測試裝備”成功入選并被認定為浙江省首臺（套）裝備。

●1月10日，連城數(shù)控發(fā)布公告稱，他們及下屬全資子公司連科半導體擬與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)人民政府簽署《錫山區(qū)工業(yè)項目投資協(xié)議書》，將投資建設(shè)“第三代半導體設(shè)備研發(fā)制造項目”——該項目規(guī)劃用地 100 畝，分兩期實施，每期 50 畝，連科半導體計劃投資不超過人民幣10.50 億元，將在無錫市投資建設(shè)半導體大硅片長晶和加工設(shè)備、SiC長晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

●1月9日，據(jù)“西安發(fā)布”消息，陜西省舉行了2024年一季度重點項目開工活動，其中包括1個SiC項目。該項目聚焦研發(fā)SiC器件等高端產(chǎn)品及大功率晶閘管、FRD、IGCT等產(chǎn)品，購置離子注入機、光刻機、真空焊接爐等生產(chǎn)設(shè)備600余套，總建筑面積5.57萬平方米。

●1月8日，華潤上華發(fā)布了“6B工廠SiC & GaN FDC系統(tǒng)實施”公告，推進相關(guān)項目實施。企查查顯示，無錫華潤上華是華潤微電子的子公司，成立于2017年6月，主要負責晶圓制造服務。

●1月8日，據(jù)“太原日報”消息，爍科晶體的中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地(二期)項目現(xiàn)在已具備設(shè)備進廠條件，預計將在1月底前開始進場設(shè)備，2024年3月可投入試生產(chǎn)。該項目投資5億元，投產(chǎn)后可達30萬片。

●1月6日，據(jù)“青橙融媒”消息，合盛硅業(yè)旗下的“年產(chǎn)800噸電子級碳化硅顆粒材料及60萬片碳化硅切割片項目”將于3月初開始試產(chǎn)，3月底正式投產(chǎn)。該項目占地面積約為190畝，投資總額高達20億元。