印度政府2月29日批準(zhǔn)了多家公司合計(jì)投資1.26萬(wàn)億盧比（約152億美元）建設(shè)半導(dǎo)體工廠的項(xiàng)目，包括塔塔集團(tuán)、CG Power等在內(nèi)的企業(yè)將分頭在半導(dǎo)體領(lǐng)域加碼投資，助力實(shí)現(xiàn)電子強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略。

***莫迪期望將印度打造成國(guó)際芯片生產(chǎn)強(qiáng)國(guó)，并有意發(fā)起價(jià)值100億美元的半導(dǎo)體鼓勵(lì)計(jì)劃。電子部長(zhǎng)Ashwini Vaishnaw強(qiáng)調(diào)，此舉有利于制造半導(dǎo)體元器件與封裝，提升國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)實(shí)力。

首家獲批工廠是塔塔集團(tuán)與中國(guó)臺(tái)灣力積電聯(lián)手建設(shè)的晶圓廠，坐落于古吉拉特邦的Dholera，預(yù)計(jì)耗資9100億盧比，預(yù)計(jì)每年產(chǎn)量高達(dá)5萬(wàn)片。塔塔集團(tuán)首席執(zhí)行官Randhir Thakur透露，該工廠將在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步制造適用成熟節(jié)點(diǎn)28nm至110nm各種應(yīng)用的半導(dǎo)體元器件。

另一座封裝測(cè)試工廠建于印度東北部的阿薩姆邦，由塔塔半導(dǎo)體裝配公司與Test Pvt Ltd聯(lián)合建設(shè)，總投資額達(dá)到2700億盧比，預(yù)計(jì)日產(chǎn)能力可達(dá)4800萬(wàn)顆芯片。

而第三座封裝測(cè)試工廠則由CG Power與日本瑞薩電子、泰國(guó)Stars Microelectronics合作運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)每日封裝測(cè)試能力約為1500萬(wàn)顆芯片，整體投資金額為760億盧比。

根據(jù)印度政府規(guī)劃，印度有望在2025年前躋身電子制造大國(guó)行列，形成年產(chǎn)值高達(dá)4000億美元的市場(chǎng)規(guī)模。值得注意的是，印度政府已經(jīng)在2021年批準(zhǔn)了針對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)價(jià)值百億美元的獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃，相關(guān)企業(yè)可以提出申請(qǐng)請(qǐng)求支持。

業(yè)內(nèi)人士指出，曾有印度本土公司如Vedanta計(jì)劃與鴻海集團(tuán)合作為本地建立晶圓廠，ISMC財(cái)團(tuán)以及以色列Tower Semiconductor等也曾有意在印投資建廠，總部位于新加坡的IGSS Ventures亦有投入巨資想要充實(shí)當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的計(jì)劃，但目前這些項(xiàng)目皆面臨不同程度的困難未取得預(yù)期進(jìn)展。