3月6日消息，固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)JEDEC近日公布了全新的JESD239 GDDR7顯存標(biāo)準(zhǔn)（Graphics Double Data Rate），相比GDDR6，新規(guī)帶來(lái)了雙倍的帶寬表現(xiàn)，單機(jī)承載能力最高可達(dá)每秒192GB。

據(jù)了解，JESD239 GDDR7首次采用了脈幅調(diào)制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口以實(shí)現(xiàn)高效的高頻操作，增強(qiáng)了信號(hào)噪聲比，降低能源消耗。該標(biāo)準(zhǔn)利用三級(jí)（+1，0，-1）的2周期交互傳輸3比特?cái)?shù)據(jù)，相較于傳統(tǒng)的NRZ（非歸零碼）接口的2周期交互傳輸2比特，顯著提升了每個(gè)循環(huán)的數(shù)據(jù)吞吐量，進(jìn)而提升整體性能。

該標(biāo)準(zhǔn)還具備以下高端特性：

核心獨(dú)立LFSR（線性反饋移位寄存器）訓(xùn)練模式配備眼睛屏蔽和錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器，能有效提高訓(xùn)練精度并縮短訓(xùn)練時(shí)間。

獨(dú)立通道數(shù)量由GDDR6的兩個(gè)翻番至四個(gè)。

支持16至32 Gbit的密度跨度，包含2通道模式，以此提高系統(tǒng)容量。

加入最新數(shù)據(jù)完整性功能，包括實(shí)時(shí)報(bào)告的片上糾錯(cuò)、數(shù)據(jù)中毒、錯(cuò)誤檢查及清除及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(yàn)（CAPARBLK），滿足RAS（ reliability、availability、serviceability）的市場(chǎng)需求。

JEDEC董事會(huì)主席Mian Quddus表示：“JESD239 GDDR7代表著高速顯存設(shè)計(jì)的一大突破。轉(zhuǎn)向PAM3信號(hào)，為顯存產(chǎn)業(yè)拓寬了GDDR設(shè)備性能提升的新路徑，助推圖形與各類高性能應(yīng)用保持持續(xù)發(fā)展。”

JEDEC GDDR小組委員會(huì)主席Michael Litt指出：“GDDR7顛覆以往僅關(guān)注帶寬，而是通過(guò)結(jié)合最新數(shù)據(jù)完整性功能以達(dá)到RAS市場(chǎng)要求，這些功能使GDDR設(shè)備更順利地滿足現(xiàn)有的云游戲和計(jì)算機(jī)處理等市場(chǎng)需求，并向AI領(lǐng)域拓展。”

此外，根據(jù)公告信息透露，AMD、美光、英偉達(dá)、三星、SK海力士均對(duì)這一標(biāo)準(zhǔn)表示全力支持。其中，三星和美光業(yè)已規(guī)劃下一代GDDR7模塊研發(fā)項(xiàng)目。三星設(shè)定的目標(biāo)時(shí)速為32 Gbps，這意味著性能提升率將達(dá)到1.6倍；美光方面，其目標(biāo)則是研發(fā)24 Gb+ 32 Gbps系列芯片。美光在近期的路線圖里亦表明，預(yù)計(jì)到2026年，將推出達(dá)到36 Gbps及24Gb+的顯存芯片產(chǎn)品。