來源：Gas World

美國商務部宣布與臺積電（TSMC）達成初步協議，支持美國半導體制造設施建設。

根據一份涉及66億美元《芯片法案》直接資金的初步條款備忘錄 (PMT)，臺積電將在美國鳳凰城建立第三座芯片工廠，將其在亞利桑那州的總投資增加至 650 億美元。

第三座晶圓廠將使用 2nm 或更先進的工藝生產芯片，并于本世紀末開始生產。

美國總統拜登表示，這些設施將生產世界上最先進的芯片，促使美國有望在2030 年生產出全球 20% 的尖端半導體。

他表示，該協議還將《芯片法案》撥款的5000萬美元資金用于培訓和發(fā)展當地勞動力。

美國總統拜登表示：“美國發(fā)明了這些芯片，但隨著時間的推移，我們的產能從占世界產能的近 40% 下降到略高于 10%，而且沒有生產最先進的芯片，我們面臨著重大的經濟和國家安全漏洞。”

臺積電董事長劉德音（Mark Liu）博士表示，公司美國業(yè)務使其能夠更好地支持國內客戶，并開拓半導體技術的未來進步。

PMT還提議向臺積電提供高達50億美元的貸款，該公司計劃向美國財政部申請高達臺積電亞利桑那州合格資本支出25%的投資稅收抵免。

審核編輯 黃宇