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基本半導(dǎo)體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體 ? 來源:基本半導(dǎo)體 ? 2024-04-11 09:22 ? 次閱讀
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Pcore2 E2B 封裝

1200V 240A 大功率碳化硅MOSFET模塊

BMF240R12E2G3是基本半導(dǎo)體為更好滿足工業(yè)客戶對高效和高功率密度需求而開發(fā)的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊,該模塊采用了Press-Fit壓接工藝、帶NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板等技術(shù),在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、可靠性等方面表現(xiàn)出色,可應(yīng)用于大功率快速充電樁模塊、不間斷電源UPS、高頻DCDC變換器、高端工業(yè)焊機(jī)等領(lǐng)域。

產(chǎn)品拓?fù)?/strong>

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產(chǎn)品特點

高晶圓可靠性

新型內(nèi)部構(gòu)造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的RDS(on)退化。

優(yōu)異抗噪特性

寬柵-源電壓范圍(VGS: -10V~+25V),及更高閾值電壓(VGS(th).typ = 4.0V),便于柵極驅(qū)動設(shè)計。

高熱性能及高封裝可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善溫度循環(huán)的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。

Press-Fit連接技術(shù)

集成NTC溫度傳感器

應(yīng)用優(yōu)勢

低導(dǎo)通電阻

低開關(guān)損耗

提高系統(tǒng)效率,降低系統(tǒng)散熱需求

提高開關(guān)頻率,以降低設(shè)備體積,提高功率密度

高閾值電壓,降低誤導(dǎo)通風(fēng)險

應(yīng)用領(lǐng)域

大功率快速充電樁

不間斷電源UPS

儲能系統(tǒng)ESS

高端工業(yè)電焊機(jī)

高頻DCDC變換器

工業(yè)伺服電機(jī)

產(chǎn)品列表

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審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:產(chǎn)品速遞 | 工業(yè)級Pcore?2 E2B碳化硅MOSFET半橋模塊

文章出處:【微信號:基本半導(dǎo)體,微信公眾號:基本半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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