日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-04-18 15:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文簡單介紹了碳化硅舟的概念、制作工藝以及不能用干法清洗的原因。

爐管中的SiC boat為什么不能dry clean?

什么是SiC boat?

SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。由于碳化硅材料具有耐高溫、抗化學(xué)腐蝕和良好的熱穩(wěn)定性等特性,它被廣泛用于各種熱處理過程,如擴散、氧化、CVD、退火等。

SiC boat有幾種不同的制作工藝?

1,在石墨晶舟表面CVD一層SiC薄膜。

該種類型的舟主體是石墨,一體加工成型。但是石墨多孔,容易產(chǎn)生顆粒,必須在石墨晶舟表面涂敷一層SiC薄膜,由于石墨體和SiC薄膜之間的 CTE(熱膨脹系數(shù))不匹配,SiC薄膜通常在多次升降溫使用后容易剝落,導(dǎo)致顆粒的產(chǎn)生。這種舟最便宜,使用壽命在一年左右。

2,在重結(jié)晶的SiC晶舟上CVD一層SiC薄膜。

重結(jié)晶的SiC晶舟是多孔的,也易產(chǎn)生顆粒,因此需要將重結(jié)晶的SiC晶舟的幾個單元部件先預(yù)先成型、燒結(jié),然后分別加工,之后將各個單元部件在高溫下以Si膏粘合,粘合成一晶舟之后再CVD涂覆SiC薄膜。 這種重結(jié)晶SiC晶舟制造流程最長,成本高,但是表面的CVD涂層也會損壞,壽命在3年左右。

3,一體成型的SiC晶舟

該晶舟整體都是由SiC材料構(gòu)成。需要將SiC從粉末成形并燒結(jié)成一體式晶舟的相應(yīng)形狀。成本極高但是很耐用,不易產(chǎn)生顆粒。但是這種晶舟含有10~15%的游離硅,容易被F,Cl侵蝕,從而導(dǎo)致微粒。

為什么不能干法清洗?

綜上,用CVD鍍一層SiC薄膜的晶舟,在干法清洗時表面SiC涂層易脫落,造成顆粒;一體成型的SiC晶舟里有少量的游離硅,容易被含F(xiàn),含Cl氣體侵蝕而產(chǎn)生顆粒,造成污染。



審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3879

    瀏覽量

    70214
  • 熱處理
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    119

    瀏覽量

    18947
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3560

    瀏覽量

    52683

原文標題:爐管碳化硅舟為什么不能干法清洗?

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    Vishay SiC401、SiC402、SiC403同步降壓調(diào)節(jié)器參考板使用指南

    Vishay SiC401、SiC402、SiC403同步降壓調(diào)節(jié)器參考板使用指南 在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源管理是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。Vishay Siliconix的SiC401、
    的頭像 發(fā)表于 04-27 12:15 ?182次閱讀

    SiC/GaN正在重塑新能源汽車性能,工程師如何應(yīng)對新挑戰(zhàn)?

    SU7、銀河M9全在推。 這背后離不開寬禁帶半導(dǎo)體(SiC/GaN)。但咱們做工程的都知道,從Datasheet到量產(chǎn)上車,要思考:熱管理、雜散電感、EMC、短路耐受、柵極驅(qū)動可靠性…… 我最近看了
    發(fā)表于 04-17 17:43

    CAN信號提升能力(SIC)可以移除CAN共模電感嗎

    了以前網(wǎng)絡(luò)拓撲結(jié)構(gòu)中的限制。甚至還可以考慮更低規(guī)格的布線解決方案或移除外部鐵氧體。 這是否意味著使用具有SIC功能的CAN收發(fā)器,可以移除CAN共模電感(Common Chock)? 哪些資料中有證據(jù)表明嗎?
    發(fā)表于 04-17 10:17

    安森美SiC Cascode JFET與SiC Combo JFET深度解析

    碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價值。
    的頭像 發(fā)表于 04-10 14:35 ?2969次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>SiC</b> Cascode JFET與<b class='flag-5'>SiC</b> Combo JFET深度解析

    一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】

    IATF16949 汽車質(zhì)量管理體系認證,具備車規(guī)級產(chǎn)品量產(chǎn)資質(zhì)。 2025 年 10 月,獲 “半導(dǎo)體功率器件及其制備方法” 發(fā)明專利授權(quán),優(yōu)化 SiC 器件制造工藝。 2025 年,SiC 銷售額超
    發(fā)表于 03-24 13:48

    62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅(qū)動板設(shè)計固態(tài)變壓器(SST)功率單元

    62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅(qū)動板設(shè)計固態(tài)變壓器(SST)功率單元
    的頭像 發(fā)表于 02-20 16:31 ?4438次閱讀
    62mm <b class='flag-5'>SiC</b>半橋模塊與雙通道<b class='flag-5'>SiC</b>驅(qū)動板設(shè)計固態(tài)變壓器(SST)功率單元

    安森美SiC JFET和SiC Combo JFET產(chǎn)品組合介紹

    本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用,核心內(nèi)容包括三大板塊,闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 01-22 09:40 ?4768次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>SiC</b> JFET和<b class='flag-5'>SiC</b> Combo JFET產(chǎn)品組合介紹

    SiC JFET如何實現(xiàn)熱插拔控制

    本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用,核心內(nèi)容包括三大板塊,闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 01-20 09:06 ?7509次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> JFET如何實現(xiàn)熱插拔控制

    關(guān)于SiC芯片 TO - 220AB的介紹

    SIC芯片是什么?不同型號又有什么區(qū)別呢?
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:24 ?677次閱讀
    關(guān)于<b class='flag-5'>SiC</b>芯片 TO - 220AB的介紹

    SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

    碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料,下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢,相較于 Si,SiC 具有更高的禁帶寬度,使 SiC 器件的工作溫度可達 300℃以上(傳統(tǒng) Si 器件
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:05 ?7874次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

    BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹

    BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹
    發(fā)表于 09-01 16:16 ?0次下載

    不同的PCB制作工藝的流程細節(jié)

    半加成法雙面 PCB 工藝具有很強的代表性,其他類型的 PCB 工藝可參考該工藝,并通過對部分工藝步驟和方法進行調(diào)整而得到。下面以半加成法雙面 PCB
    的頭像 發(fā)表于 08-12 10:55 ?7661次閱讀
    不同的PCB<b class='flag-5'>制作工藝</b>的流程細節(jié)

    半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP后晶圓表面粗糙度檢測

    在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而,為了實現(xiàn)這些器件的高性能,必須對SiC進行精細的表面處理。化學(xué)機械拋光(CMP
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:55 ?1356次閱讀
    半導(dǎo)體碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b>制造<b class='flag-5'>工藝</b>CMP后晶圓表面粗糙度檢測

    深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障
    發(fā)表于 07-23 14:36

    MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對晶圓 TTV 厚度的影響機制及測量優(yōu)化

    引言 在 MICRO OLED 的制造進程中,金屬陽極像素制作工藝舉足輕重,其對晶圓總厚度偏差(TTV)厚度存在著復(fù)雜的影響機制。晶圓 TTV 厚度指標直接關(guān)乎 MICRO OLED 器件的性能
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:43 ?933次閱讀
    MICRO OLED 金屬陽極像素<b class='flag-5'>制作工藝</b>對晶圓 TTV 厚度的影響機制及測量優(yōu)化
    SHOW| 米泉市| 平乐县| 犍为县| 永登县| 井陉县| 湄潭县| 黄龙县| 瑞丽市| 扬中市| 新乡市| 麟游县| 怀化市| 尚志市| 永嘉县| 周至县| 冀州市| 镇原县| 江门市| 府谷县| 紫阳县| 化隆| 泊头市| 沭阳县| 庆阳市| 汤阴县| 鹿邑县| 临沧市| 文化| 扶余县| 鹤庆县| 桂东县| 肇东市| 讷河市| 宁蒗| 东平县| 商水县| 通州市| 武平县| 津市市| 西华县|