深圳基本半導體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)
深圳基本半導體近期獲批一項名為“一種溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專利（專利號CN117238972B），并將于2024年4月16日正式生效。此項專利主要涉及半導體器件技術(shù)領(lǐng)域，其創(chuàng)新之處在于提出了一種新型溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制作工藝。
具體來說，該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成：首先是n+型碳化硅襯底，接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層，這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部，從外部向內(nèi)部依次設(shè)有p+型基區(qū)、n+型源區(qū)以及柵氧化層，其中柵氧化層還包覆著多晶硅柵。此外，柵氧化層、p+型基區(qū)以及n+型源區(qū)的底部均設(shè)有p+型保護區(qū)，n型電流傳輸層上方則覆蓋有隔離介質(zhì)層，其兩側(cè)各設(shè)接觸電極，隔離介質(zhì)層上方設(shè)有源電極，n+型碳化硅襯底的背面設(shè)有漏電極。
通過這種設(shè)計，本發(fā)明成功地改變了器件溝道電流的方向，使之不再受溝槽保護結(jié)構(gòu)的限制，同時通過引入電流傳輸層降低了溝槽保護結(jié)構(gòu)對溝道電流的影響，從而實現(xiàn)了更低的比導通電阻。
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