用于輕型電動汽車和ISG的逆變器、電池管理系統(tǒng)和接線盒的負(fù)載開關(guān)以及半導(dǎo)體繼電器，要求產(chǎn)品具有高可靠性、高漏極電流額定值和高散熱設(shè)計(jì)。面對這樣的需求，東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品—80V“XPQR8308QB”和100V“XPQ1R00AQB”。

這兩款產(chǎn)品采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝，導(dǎo)通電阻極低。此外，L-TOGL封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，通過厚銅框連接MOSFET芯片和外部引腳。與東芝現(xiàn)有TO-220SM(W)封裝相比，封裝電阻下降大約70%，結(jié)殼熱阻降低50%。同時，該封裝采用鷗翼式引線，可降低安裝應(yīng)力，提高板載貼裝器件焊點(diǎn)可靠性。這些特性可在大電流時實(shí)現(xiàn)設(shè)備的低功耗和高散熱，滿足汽車設(shè)備對48V電池日益增長的需求。

當(dāng)應(yīng)用需要更大工作電流時，可以并聯(lián)MOSFET。在這種并聯(lián)連接中，并聯(lián)MOSFET的特性差異越小越好。為減小這種偏差，我們支持根據(jù)柵極閾值電壓分組發(fā)貨。

本系列目前有四種L-TOGL封裝產(chǎn)品，包括東芝現(xiàn)有40V產(chǎn)品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB”。

該兩款產(chǎn)品可應(yīng)用于汽車設(shè)備當(dāng)中，包括逆變器、半導(dǎo)體繼電器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動電路等。產(chǎn)品特性如下：

? 低導(dǎo)通電阻：

XPQR8308QB RDS(ON)＝0.83mΩ（最大值）（VGS＝10V）

XPQ1R00AQB RDS(ON)＝1.03mΩ（最大值)（VGS＝10V）

?L-TOGL高散熱封裝

?AEC-Q101認(rèn)證

主要規(guī)格

內(nèi)部電路

應(yīng)用電路示例

東芝將提供更多合適的產(chǎn)品，以滿足車載應(yīng)用對大電流、高功率密度設(shè)計(jì)和高可靠性不斷增長的需求。

審核編輯：劉清