北京智芯微電子科技有限公司近期獲得了一項(xiàng)“芯片的三維建模方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)”專利權(quán)，授權(quán)編號(hào)CN117556777B，最近公布日期為2024年5月28日，申請(qǐng)日期為2024年1月12日。

此項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，主要內(nèi)容是提供一種芯片的三維建模方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。具體步驟包括：首先獲取芯片的平面版圖，同時(shí)獲取芯片流片的層級(jí)信息與光罩信息；然后根據(jù)這些信息，確定平面版圖中芯片各層對(duì)應(yīng)的層級(jí)幾何參數(shù)；接著通過(guò)邏輯運(yùn)算得出芯片的輕摻雜漏結(jié)構(gòu)的層級(jí)幾何參數(shù)；最后綜合利用上述信息，對(duì)芯片進(jìn)行三維建模，生成包含輕摻雜漏結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)模塊的三維結(jié)構(gòu)模型。這種方法能夠精確構(gòu)建包含LDD區(qū)域的三維結(jié)構(gòu)模型，全面準(zhǔn)確地展現(xiàn)芯片的幾何結(jié)構(gòu)，確保模型中器件電學(xué)性能及可靠性的準(zhǔn)確性，從而提高芯片仿真的精度。