半導體是現(xiàn)代科技的心臟，跳動于各種電子設備中，為世界提供源源不斷的動力。從汽車工業(yè)、消費電子產品、到能源基礎設施，幾乎每一個現(xiàn)代科技的角落都依賴于半導體的存在。相關研究機構數(shù)據(jù)顯示，2023年全球半導體的生產和銷售量超過一萬億顆。

在電動汽車的應用中，基于碳化硅的前沿功率半導體更是市場的寵兒。得益于其較高的功率密度和開關速度的特性，碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）可賦能各類功率系統(tǒng)。其在更高的溫度、電壓和頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，相比于傳統(tǒng)IGBT，在相同電池電量下能有效延長至6%的續(xù)航里程。

這使得汽車工業(yè)對于功率半導體，尤其是碳化硅功率半導體的需求急劇上升，并且市場以每年超過30%的速度強勁增長。這種創(chuàng)新材料在推動電動出行的進程中扮演著尤為重要的角色，相關研究機構預測，2029年電動領域芯片的市場規(guī)模約達360億美元。

然而，受其材料特性影響，碳化硅芯片的生產條件十分嚴格，對于工藝的要求極高。

博世作為碳化硅領域的先驅，是全球為數(shù)不多的生產和銷售自有碳化硅功率半導體的汽車零部件供應商之一，擁有超過20年的研究經(jīng)驗，具備完整的從碳化硅研發(fā)、生產到檢測的全流程。

博世從一開始就將其市場領先的溝槽刻蝕工藝應用于碳化硅芯片，并特別關注了晶體管的魯棒性，使得其芯片產品具有突出的性能表現(xiàn)。

2021年博世在其德國的羅伊特林根工廠投產了基于6英寸(150mm)碳化硅晶圓的車規(guī)級芯片。目前，該晶圓廠正在生產基于8英寸(200mm)晶圓的碳化硅芯片樣品客戶試跑。

為進一步擴大產能以滿足市場需求，博世于2023年收購了位于美國加利福尼亞州羅斯維爾的芯片工廠。為將新工廠升級為最先進的碳化硅芯片制造廠，博世投資約15億美元。升級完成后，羅斯維爾晶圓廠將生產基于8英寸(200mm)晶圓尺寸的碳化硅芯片，該晶圓廠的首批碳化硅芯片將于2026年投產。

8英寸晶圓滿足業(yè)內的黃金標準，在能夠保證成本效益的同時，實現(xiàn)芯片的更高產量。羅斯維爾和羅伊特林根工廠的同步投產，在未來數(shù)年內預計將幫助博世實現(xiàn)碳化硅產能的十倍增長。這將大幅提高博世為電動出行提供碳化硅芯片這一關鍵組件的能力。

博世第二代碳化硅產品分為750V和1200V兩種規(guī)格，以裸片、分立器件及模塊的形式提供。獨立器件的封裝選擇多樣，能夠根據(jù)客戶需求靈活定制。

博世碳化硅，致力于提供更高效、更可靠的電動出行解決方案，為整車廠提供產品力的保證。助力客戶實現(xiàn)更強大可靠的汽車功率系統(tǒng)！