8月27日，據(jù)韓國權(quán)威科技媒體The Elec及ZDNet Korea聯(lián)合報道，SK海力士公司的高級管理人員，副總裁（常務(wù)）文起一，在韓國當(dāng)?shù)貢r間前日的一次重要學(xué)術(shù)研討會上發(fā)表見解，預(yù)測Chiplet（芯粒/小芯片）技術(shù)將在未來兩到三年內(nèi)被引入DRAM及NAND存儲產(chǎn)品領(lǐng)域。

文起一指出，并非所有存儲產(chǎn)品的控制器功能都苛求尖端制造工藝，通過Chiplet設(shè)計策略，企業(yè)能夠?qū)⒛切に囈蟛桓叩墓δ苣K遷移至成本效益更高的成熟制程芯粒上實施，此舉在不犧牲功能完整性的前提下，可顯著削減整體成本。

SK海力士正積極在其內(nèi)部研發(fā)Chiplet技術(shù)，并已展現(xiàn)出對這一前沿領(lǐng)域的堅定承諾。公司不僅成為了UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的活躍成員，還在2023年成功在全球范圍內(nèi)注冊了MOSAIC商標(biāo)，專門用于Chiplet技術(shù)，彰顯其在該領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局與前瞻視野。

此外，文起一還就當(dāng)前HBM（高帶寬內(nèi)存）內(nèi)存技術(shù)中的新興工藝——混合鍵合技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)發(fā)表了看法。他提到，盡管混合鍵合技術(shù)為連接HBM內(nèi)存各層裸片提供了創(chuàng)新路徑，但該技術(shù)在實際應(yīng)用中仍需克服多重難題，包括對CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）工藝精度要求的顯著提升，以及封裝過程中產(chǎn)生的碎屑污染對HBM內(nèi)存良率的潛在影響。盡管如此，文起一仍堅信混合鍵合技術(shù)代表了未來的發(fā)展趨勢，其團(tuán)隊正致力于解決這些挑戰(zhàn)，以推動技術(shù)進(jìn)步。