熊本官員訪臺(tái)積電談擴(kuò)建，臺(tái)積電回應(yīng)聚焦現(xiàn)有項(xiàng)目
據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，日本熊本縣知事木村敬近日訪問(wèn)了臺(tái)積電位于新竹科學(xué)園區(qū)的總部，旨在就進(jìn)一步在日本設(shè)立第三座晶圓廠進(jìn)行商談。此次訪問(wèn)標(biāo)志著木村敬自4月就任熊本知事以來(lái)，首次踏足中國(guó)臺(tái)灣，彰顯了雙方合作的深化與期待。
臺(tái)積電對(duì)熊本縣的積極態(tài)度表示理解，但公司方面明確回應(yīng)稱，當(dāng)前的首要任務(wù)是確保在熊本正在建設(shè)的兩座12英寸晶圓廠能夠順利推進(jìn)并高效運(yùn)營(yíng)。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，只有在成功建立并優(yōu)化好這兩座廠后，才會(huì)考慮未來(lái)的擴(kuò)張計(jì)劃，包括可能設(shè)立的第三座晶圓廠。
值得注意的是，熊本晶圓廠作為臺(tái)積電海外布局的重要一環(huán)，其建設(shè)進(jìn)度備受矚目。在日本政府的大力支持下，該項(xiàng)目的資本支出已增至86億美元，較原計(jì)劃有所提升，預(yù)計(jì)將于2024年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，成為臺(tái)積電海外建廠中速度最快且最早可能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠區(qū)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5812瀏覽量
177108 -
晶圓廠
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
646瀏覽量
39005
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
臺(tái)積電證實(shí)，南京廠被撤銷豁免資格！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼SK海力士、三星之后，南京臺(tái)積電也被撤銷了豁免？ ? 9月2日消息，美國(guó)商務(wù)部官員在近期通知臺(tái)
臺(tái)積電擬投資170億，在日本建設(shè)3nm芯片工廠
據(jù)報(bào)道，全球最大的半導(dǎo)體代工制造商臺(tái)積電（TSMC）已最終確定在日本熊本縣量產(chǎn)3nm線寬的尖端半導(dǎo)體芯片的計(jì)劃。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資額將達(dá)到170
臺(tái)積電計(jì)劃建設(shè)4座先進(jìn)封裝廠，應(yīng)對(duì)AI芯片需求
地位。 ? 臺(tái)積電在季度法人說(shuō)明會(huì)上透露，先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)在2025年已貢獻(xiàn)約一成的企業(yè)營(yíng)收，且未來(lái)增速預(yù)計(jì)將超過(guò)公司整體平均水平。在資本支出方面，先進(jìn)封裝、掩膜制造及其他項(xiàng)目將合計(jì)占到
臺(tái)積電：云、管、端技術(shù)創(chuàng)新，端側(cè)AI將是絕佳機(jī)會(huì)
媒體采訪時(shí)表示，人工智能的崛起正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)新一輪爆發(fā)式增長(zhǎng)，為滿足 AI 應(yīng)用的多元化需求，臺(tái)積電在云、管、端三大領(lǐng)域同步開(kāi)啟技術(shù)競(jìng)技與創(chuàng)新布局。 ? 圖：臺(tái)
臺(tái)積電CoWoS平臺(tái)微通道芯片封裝液冷技術(shù)的演進(jìn)路線
臺(tái)積電在先進(jìn)封裝技術(shù)，特別是CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）平臺(tái)上的微通道芯片液冷技術(shù)路線，是其應(yīng)對(duì)高性能計(jì)算和AI芯片高熱流密度挑戰(zhàn)的關(guān)鍵策略。本報(bào)告將基于
臺(tái)積電Q3凈利潤(rùn)4523億元新臺(tái)幣 英偉達(dá)或取代蘋(píng)果成臺(tái)積電最大客戶
在10月16日；根據(jù)臺(tái)積電公司公布的2025年第三季財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電營(yíng)收約新臺(tái)幣9899.2
突發(fā)！臺(tái)積電南京廠的芯片設(shè)備出口管制豁免被美國(guó)正式撤銷
美國(guó)已撤銷臺(tái)積電（TSMC）向其位于中國(guó)大陸的主要芯片制造基地自由運(yùn)送關(guān)鍵設(shè)備的授權(quán)，這可能會(huì)削弱其老一代晶圓代工廠的生產(chǎn)能力。 美國(guó)官員最近通知臺(tái)
今日看點(diǎn)丨臺(tái)積電開(kāi)除多名違規(guī)獲取2納米芯片信息的員工，蘋(píng)果腦控實(shí)機(jī)視頻曝光
職期間試圖獲取與2納米芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)相關(guān)的關(guān)鍵專有信息。 對(duì)此臺(tái)積電回應(yīng)稱，近期在例行監(jiān)控中“發(fā)現(xiàn)了未經(jīng)授權(quán)的活動(dòng)，繼而察覺(jué)商業(yè)機(jī)密可能遭泄露”。臺(tái)
發(fā)表于 08-06 09:34
?1901次閱讀
臺(tái)積電引領(lǐng)全球半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，2納米制程備受關(guān)注
在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。目前，只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家公司能夠進(jìn)入3納米以下的先進(jìn)制程領(lǐng)域。然而，臺(tái)積
臺(tái)積電Q2凈利潤(rùn)3982.7億新臺(tái)幣 暴增60% 創(chuàng)歷史新高
據(jù)臺(tái)積電公布的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電在2025年第二季度營(yíng)收達(dá)到9337.9億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)高達(dá)
臺(tái)積電正面回應(yīng)！日本芯片廠建設(shè)不受影響，仍將全速推進(jìn)
美國(guó)政府可能對(duì)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)芯片征收關(guān)稅的風(fēng)險(xiǎn)。然而，臺(tái)積電在回應(yīng) Tom's Hardware 詢問(wèn)時(shí)明確表示，其在美國(guó)亞利桑那州的重大投資計(jì)劃，不會(huì)影響其在日本和德國(guó)的芯片制造工
臺(tái)積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù)，力積電接手相關(guān)訂單
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
臺(tái)積電官宣退場(chǎng)！未來(lái)兩年逐步撤離氮化鎵市場(chǎng)
7月3日，氮化鎵（GaN）制造商納微半導(dǎo)體（Navitas）宣布，其650V元件產(chǎn)品將在未來(lái)1到2年內(nèi)，從當(dāng)前供應(yīng)商臺(tái)積電（TSMC）逐步過(guò)渡至力積
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋(píng)果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門(mén)檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電
西門(mén)子與臺(tái)積電合作推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與集成創(chuàng)新 包括臺(tái)積電N3P N3C A14技術(shù)
西門(mén)子和臺(tái)積電在現(xiàn)有 N3P 設(shè)計(jì)解決方案的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推進(jìn)針對(duì)臺(tái)積電 N3C 技術(shù)的工具認(rèn)證
發(fā)表于 05-07 11:37
?1633次閱讀
評(píng)論