威兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET
在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導(dǎo)體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，該產(chǎn)品以其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，成為展會(huì)上一大亮點(diǎn)。
HCF2030MR70KH0采用了緊湊高效的SOT-227封裝，專為追求極致能效與高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)量身打造。得益于先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)，該MOSFET在開關(guān)損耗與導(dǎo)通電阻方面實(shí)現(xiàn)了重大突破，RDS（on）低至25mΩ（最大值30mΩ），同時(shí)耐壓高達(dá)700V，連續(xù)漏極電流ID可達(dá)65A，展現(xiàn)出非凡的電氣性能。
尤為值得一提的是，HCF2030MR70KH0在反向恢復(fù)性能上同樣表現(xiàn)出色，Qrr極低，這意味著在開關(guān)過程中能夠大幅度降低能量損失，顯著提升系統(tǒng)整體效率，并有效減少熱損耗。這一特性對(duì)于提升電子設(shè)備的工作穩(wěn)定性、延長使用壽命具有重要意義。
威兆半導(dǎo)體的這一創(chuàng)新成果，不僅展現(xiàn)了公司在SiC MOSFET領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，更為功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的高效化、綠色化發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。隨著新能源汽車、智能電網(wǎng)、工業(yè)控制等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)高效、可靠功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求日益迫切，HCF2030MR70KH0的推出無疑將為這些領(lǐng)域帶來革命性的變化。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10834瀏覽量
235066 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3874瀏覽量
70195 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3557瀏覽量
52674 -
威兆半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
111瀏覽量
275
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
ROHM推出全新第5代SiC MOSFET產(chǎn)品
ROHM開發(fā)出新一代EcoSiC?“第5代SiC MOSFET”
海奇半導(dǎo)體重磅發(fā)布新一代投影芯片
一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動(dòng)態(tài)【上】
威兆半導(dǎo)體遞表港交所，WLCSP技術(shù)引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新發(fā)展
SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對(duì)五萬億電網(wǎng)投資的賦能作用
CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之選
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET特點(diǎn)及設(shè)計(jì)要點(diǎn)
引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用
派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品
深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊
突破性能邊界：基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景
為什么要選擇采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET
基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET
評(píng)論