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從片上系統(tǒng)(SoC)到立方體集成電路(CIC)

中科院半導體所 ? 來源:SiP與先進封裝技術(shù) ? 2024-12-18 11:03 ? 次閱讀
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芯片的設(shè)計概念從SoC到SoIC再到CIC,本文介紹了這三者的區(qū)別。

SoC(System on Chip)片上系統(tǒng),SoIC(System on Integrated Chip)集成片上系統(tǒng),CIC(Cubic Integrated Circuit)立方體集成電路,三者有什么異同,今天,我們將其放在一起進行比較解讀。

SoC

SoC是System on Chip的縮寫,中文稱“片上系統(tǒng)”,是由多個具有特定功能的集成電路組合在一個硅片上形成的系統(tǒng)或產(chǎn)品,其中包含完整的硬件系統(tǒng)及其承載的嵌入式軟件。 在SoC上,集成了處理器(包括CPU、DSP)、存儲器、各種接口控制模塊、各種互聯(lián)總線等。下圖所示為麒麟980 SoC的版圖。

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SoC實現(xiàn)了在單個芯片上,就能完成一個電子系統(tǒng)的功能,而這個系統(tǒng)在SoC出現(xiàn)以前往往需要一個或多個電路板,以及板上的各種電子器件、芯片和互連線共同配合來實現(xiàn)。 SoC在單芯片實現(xiàn)了功能的高度集成,其功能密度比傳統(tǒng)的板級系統(tǒng)有了巨大的提升。

SoIC

SoIC(System on Integrated Chips)集成片上系統(tǒng),是臺積電最新的先進封裝技術(shù)。該技術(shù)最鮮明的特點是沒有凸點(no-Bump)的鍵合結(jié)構(gòu),因此具有有更高的集成密度和更佳的性能。 SoIC是將多個芯片采用混合鍵合的方式組裝到一起,體積和性能上達到了單顆SoC同等的指標。 對比下圖的SoC和SoIC,我們可以看出,SoIC相對SoC至少有兩個優(yōu)勢,1)異構(gòu)集成,2)更高的功能密度。

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SoIC-1,SoIC-2,SoIC-3可以采用不同的工藝節(jié)點生產(chǎn),然后通過混合鍵合組裝,支持異構(gòu)集成,因此具有更高的靈活性。此外,SoIC具備更多的晶體管層,圖中,我用高亮標識出了晶體管層,可以看出,SoC具有一個晶體管層,而SoIC具有兩個晶體管層,在同樣的工藝條件下,SoIC相比同體積SoC的具有兩倍的晶體管數(shù)量,因此其功能密度也為SoC的兩倍。隨著堆疊層數(shù)的增多,這種優(yōu)勢會更加明顯。

CIC

CIC(Cubic integrated Circuit)立方體集成電路,是我在2021年8月7日的一篇文章《集成電路設(shè)計的“新思路”》中提出的概念,旨在以立方體的思路去設(shè)計芯片。 在這里,我想強調(diào)一下,CIC從芯片開始規(guī)劃和設(shè)計階段,就以立方體的思路來進行,如下圖所示,一個SoC在一開始就被規(guī)劃成4層或者更多層來設(shè)計,需要EDA廠商在軟件研發(fā)上給予足夠的功能支持才可以實現(xiàn)。

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在實際應用中,CIC可能是10層、20層、50層、100層、500層或者更多。從信號最快到達和能量最節(jié)省的角度,正立方體是最佳的芯片形態(tài),這就是CIC名稱的由來。 以現(xiàn)有的7nm工藝,在指甲蓋大小的芯片上可以集成100億以上的晶體管。如果以CIC的模式來設(shè)計,在指尖大小的1立方厘米內(nèi)可集成的晶體管數(shù)量為2.5萬億~5萬億,即100億的250倍~500倍。 如果CIC可以實現(xiàn)的話,如今全球最大的芯片,如餐盤大小的WSE二代晶體管的數(shù)量是2.6萬億,如果按照CIC的設(shè)計思路,完全可以在指尖大小的1立方厘米實現(xiàn)了。

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這絕對是一個質(zhì)的飛躍,然而,CIC的設(shè)計與制造,必將是一個非常難以實現(xiàn)的目標。 如果要在競爭中勝出,就必須克服各種困難,朝著既定目標努力奮斗!這就是目標的力量。有的人因為看見而相信,有的人因為相信而看見。

回顧和展望

SoC技術(shù)始于20世紀90年代中期,是集成電路(IC)向集成系統(tǒng)(IS)轉(zhuǎn)變的大方向下產(chǎn)生的,是集成電路技術(shù)發(fā)展到一定程度的必然產(chǎn)物。摩托羅拉于1994發(fā)布的FlexCore據(jù)稱是最早通過SoC技術(shù)實現(xiàn)的產(chǎn)品。 SoIC技術(shù)由臺積電在2018年正式提出,該技術(shù)將多個獨立的小芯片通過3D制造技術(shù)集成到整合的SoC系統(tǒng)中,具有更高的功能密度、更低的通信延遲以及更低的單位能量消耗。目前,SoIC技術(shù)已經(jīng)可以堆疊到12層。 CIC概念于2021年8月提出,目前還只是一種芯片技術(shù)發(fā)展的預期,未來或?qū)⒂芯薮蠖焖俚陌l(fā)展。 在現(xiàn)有的芯片技術(shù)中,晶體管是記錄信息的基本單位,也是功能的基本單位,在系統(tǒng)空間內(nèi),晶體管的密度也代表著功能密度。無論是SoC,SoIC還是CIC,其實現(xiàn)的主要目的就是提高系統(tǒng)空間內(nèi)的功能密度,并降低單位信息傳遞的能量消耗。

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原文標題:從片上系統(tǒng) (SoC) 到立方體集成電路 (CIC)

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