豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓
近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
據(jù)豐田合成介紹，與傳統(tǒng)的硅基GaN工藝橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構(gòu)建的垂直晶體管在功率器件密度方面具有顯著優(yōu)勢。這一技術(shù)突破意味著，未來可以在更大尺寸的晶圓，如200mm和300mm晶圓上制造更高性能的功率器件。
然而，制造大尺寸GaN單晶晶圓一直是一項(xiàng)技術(shù)難題。此前，業(yè)界在制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓時面臨諸多困難。豐田合成的此次成功，無疑為GaN技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。
豐田合成的這一技術(shù)突破，不僅展示了其在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的創(chuàng)新能力，也為未來功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展提供了新的可能。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的逐步降低，GaN器件有望在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用，為人們的生活帶來更多便利。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5451瀏覽量
132783 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10443瀏覽量
148707 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2386瀏覽量
84657
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
北方華創(chuàng)發(fā)布12英寸芯片對晶圓混合鍵合設(shè)備Qomola HPD30
北方華創(chuàng)近日發(fā)布12英寸芯片對晶圓（Die to wafer，D2W）混合鍵合設(shè)備——Qomola HPD30。
韓系大廠功率GaN代工進(jìn)入量產(chǎn)階段，F(xiàn)abless要崛起？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日業(yè)界傳出三星電子功率GaN晶圓代工產(chǎn)線即將投產(chǎn)，其8英寸GaN產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)前準(zhǔn)備階段，預(yù)計(jì)最早將在今年第
突破！本土企業(yè)成功研制14英寸SiC單晶
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?8英寸碳化硅正在成為主流，大尺寸SiC襯底經(jīng)過近年來行業(yè)的迭代和發(fā)展，甚至已經(jīng)從8英寸逐漸發(fā)展至12英寸，近年有不少襯
浮思特 | 8英寸碳化硅晶圓為什么重要?至信微量產(chǎn)背后的技術(shù)邏輯
，逐漸成為高性能電力電子系統(tǒng)的核心材料。在這一技術(shù)演進(jìn)過程中，碳化硅晶圓尺寸也在不斷升級，從早期的4英寸、6英寸逐步邁向8英寸。作為至信微的
被斷供之后，安世中國宣布12英寸平臺成功驗(yàn)收
晶體管、二極管等，是各類電子系統(tǒng)的基礎(chǔ)器件。而安世中國此次小批量生產(chǎn)的?12英寸晶圓雙極分立器件，并非從原有的8英寸產(chǎn)品進(jìn)行移植，而是通過其12英寸
8英寸晶圓代工價格將上漲5-20%！
根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新調(diào)查，全球8英寸晶圓代工價格即將全面上調(diào)，漲幅預(yù)計(jì)在5%到20%之間。
產(chǎn)能告急！2026年8英寸芯片價格最高暴漲20%
的并非大尺寸晶圓，而是以8英寸晶圓代工為主的成熟代工。 ? 成熟代工集體漲價 ? 據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的最新報(bào)告顯示，全球的8
12英寸碳化硅外延片突破！外延設(shè)備同步交付
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
50.6億！中國首條8英寸MEMS晶圓全自動生產(chǎn)線，正式投產(chǎn)
近日，由中國電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司（以下簡稱“中電二公司”）承建的中國蚌埠傳感谷8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線EPC項(xiàng)目迎來重要里程碑——首批產(chǎn)品成功下線。這一成果標(biāo)志著全國首條8
重大突破！12 英寸碳化硅晶圓剝離成功，打破國外壟斷！
9月8日消息，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一
臺積電戰(zhàn)略收縮：兩年內(nèi)逐步關(guān)停6英寸晶圓產(chǎn)線
臺北消息，據(jù)Focus Taiwan報(bào)道，臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.，TSMC）計(jì)劃在未來兩年內(nèi)逐步停止其6英寸晶圓業(yè)務(wù)，并持續(xù)整合8英寸晶
MOCVD技術(shù)丨實(shí)現(xiàn)6英寸藍(lán)寶石基板GaN基LED關(guān)鍵突破
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）基發(fā)光二極管（LED）憑借其卓越性能，長期占據(jù)研究焦點(diǎn)位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍(lán)寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板
不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸
12英寸SiC，再添新玩家
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時代后，業(yè)界并沒有停下腳步，開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月，天岳先進(jìn)率先出手，發(fā)布了行業(yè)首款12
評論