根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查及研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research的最新報(bào)告顯示，2024年全球晶圓代工市場(chǎng)以22%的年增長(zhǎng)率結(jié)束，展現(xiàn)出2023年之后的強(qiáng)勁復(fù)蘇與擴(kuò)張動(dòng)能。

報(bào)告表示，此增長(zhǎng)主要來(lái)自于先進(jìn)制程需求的激增，受AI應(yīng)用加速導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心與邊緣計(jì)算所驅(qū)動(dòng)。而晶圓代工領(lǐng)頭羊臺(tái)積電則憑借5/4nm與3nm先進(jìn)制程的強(qiáng)勁需求，抓住市場(chǎng)機(jī)會(huì)，加上CoWoS等先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，也進(jìn)一步助推產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。

而報(bào)告還指出，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將在2025年挑戰(zhàn)20%的營(yíng)收增長(zhǎng)，其中AI需求持續(xù)強(qiáng)勁，為臺(tái)積電等主要廠商帶來(lái)顯著助益。此外，消費(fèi)電子、網(wǎng)通設(shè)備與蜂窩式物聯(lián)網(wǎng)等非AI半導(dǎo)體應(yīng)用的需求回溫，也將支撐市場(chǎng)增長(zhǎng)，進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期潛力。2025年，3nm與5/4nm等先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率（UTR）預(yù)計(jì)將維持在高水準(zhǔn)，受惠于英偉達(dá)帶動(dòng)的AI需求，以及蘋(píng)果高通與聯(lián)發(fā)科的旗艦智能手機(jī)出貨。

相比之下，成熟制程（28/22nm及以上）的產(chǎn)能利用率復(fù)蘇較為遲緩，主要因消費(fèi)電子、網(wǎng)通、車(chē)用與工業(yè)市場(chǎng)需求疲弱。其中，8英寸晶圓產(chǎn)能利用率的復(fù)蘇速度可能落后于12英寸晶圓的產(chǎn)能利用率，因其在車(chē)用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的比重較高。報(bào)告中預(yù)期，車(chē)用半導(dǎo)體的庫(kù)存調(diào)整將延續(xù)至2025年上半年，進(jìn)一步拖累市場(chǎng)復(fù)蘇。此外，全球IDM廠商（如英飛凌和恩智浦）受高庫(kù)存水位影響，可能縮減對(duì)成熟制程代工廠的委外訂單，加深對(duì)成熟制程產(chǎn)能利用率（UTR）的壓力。整體而言，2025年成熟制程代工廠的UTR復(fù)蘇幅度將低于臺(tái)積電。

至于對(duì)2025年展望，Counterpoint Research表示，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將維持穩(wěn)健增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2025至2028年間營(yíng)收年均增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)13%~15%。產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)將主要由3nm、2nm及以下的先進(jìn)制程推動(dòng)，并受到CoWoS與3D封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)加速采用的帶動(dòng)。隨著高性能計(jì)算（HPC）與AI應(yīng)用需求持續(xù)攀升，這些技術(shù)將成為未來(lái)3~5年內(nèi)的核心增長(zhǎng)動(dòng)能。臺(tái)積電憑借技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)將持續(xù)引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，并進(jìn)一步鞏固市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

晶揚(yáng)電子|電路與系統(tǒng)保護(hù)專家

深圳市晶揚(yáng)電子有限公司成立于2006年，是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、國(guó)家專精特新“小巨人”科技企業(yè)，是多年專業(yè)從事IC設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售及系統(tǒng)集成的IC DESIGN HOUSE，擁有百余項(xiàng)有效專利等知識(shí)產(chǎn)權(quán)。建成國(guó)內(nèi)唯一的廣東省ESD保護(hù)芯片工程技術(shù)研究中心，是業(yè)內(nèi)著名的“電路與系統(tǒng)保護(hù)專家”。

主營(yíng)產(chǎn)品:ESD、TVS、MOS管、DC-DC,LDO系列、霍爾傳感器，高精度運(yùn)放芯片，汽車(chē)音頻功放芯片等。

審核編輯 黃宇