在碳化硅（SiC）MOSFET橋式電路應(yīng)用中，米勒鉗位功能至關(guān)重要，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

在SiC MOSFET橋式電路（如充電樁LLC拓?fù)?、光?a href="http://m.sdkjxy.cn/tags/逆變器/" target="_blank">逆變器等）中，米勒鉗位功能是確保高可靠性和高效率的核心設(shè)計(jì)要素。通過(guò)主動(dòng)抑制米勒效應(yīng)，可顯著降低誤開通風(fēng)險(xiǎn)，為高頻、高壓應(yīng)用提供關(guān)鍵保障。

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傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

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1. 抑制米勒效應(yīng)引起的誤開通

米勒效應(yīng)原理：當(dāng)橋式電路的上管快速開通時(shí)，橋臂中點(diǎn)電壓的快速變化（高dv/dt）會(huì)通過(guò)下管的柵漏寄生電容（Cgd）產(chǎn)生米勒電流（Igd=Cgd?dtdv）。該電流流經(jīng)下管的柵極電阻（Rgoff），導(dǎo)致下管柵極電壓被抬高，可能超過(guò)閾值電壓（VGS(th)），引發(fā)誤開通（直通現(xiàn)象）。

SiC MOSFET的脆弱性：

SiC MOSFET的閾值電壓較低（1.8~2.7V），且隨溫度升高進(jìn)一步下降，更容易因米勒電流誤開通。

SiC器件的開關(guān)速度極快（dv/dt可達(dá)50kV/μs以上），進(jìn)一步加劇米勒效應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。

2. 米勒鉗位功能的作用

主動(dòng)鉗位門極電壓：米勒鉗位通過(guò)低阻抗路徑（如驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部的MOSFET）將門極電荷快速泄放至負(fù)電源軌，抑制柵極電壓的抬升（例如將VGS從7.3V降至2V）。

增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性：避免上下管直通短路，降低熱失控和器件損壞風(fēng)險(xiǎn)。

3. 與傳統(tǒng)IGBT的對(duì)比

IGBT：驅(qū)動(dòng)負(fù)壓容忍度更高（-8~-15V），閾值電壓較高（約5.5V），通常無(wú)需米勒鉗位。

SiC MOSFET：驅(qū)動(dòng)負(fù)壓受限（-4V~-8V），閾值電壓低且對(duì)溫度敏感，必須依賴米勒鉗位抑制誤開通。

4. 實(shí)測(cè)驗(yàn)證

在雙脈沖測(cè)試中，開啟米勒鉗位功能后，下管柵極電壓波動(dòng)顯著降低（從7.3V降至2V），有效避免誤開通（詳見第55-56頁(yè)測(cè)試數(shù)據(jù)）。

5. 系統(tǒng)優(yōu)化意義

提升效率：減少開關(guān)損耗和直通損耗，優(yōu)化整機(jī)效率。

支持高頻應(yīng)用：通過(guò)抑制米勒效應(yīng)，充分發(fā)揮SiC MOSFET的高頻優(yōu)勢(shì)。

碳化硅（SiC）MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性

BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521P,BTP1521F，該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過(guò)溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過(guò)OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

在SiC MOSFET橋式電路（如充電樁LLC拓?fù)?、光伏逆變器等）中，米勒鉗位功能是確保高可靠性和高效率的核心設(shè)計(jì)要素。通過(guò)主動(dòng)抑制米勒效應(yīng)，可顯著降低誤開通風(fēng)險(xiǎn)，為高頻、高壓應(yīng)用提供關(guān)鍵保障。

審核編輯 黃宇