隨著高效能、緊湊型電源系統(tǒng)的需求日益增長(zhǎng)，傳統(tǒng)平面MOSFET已逐漸難以滿足高壓低損耗的要求。龍騰半導(dǎo)體自主開發(fā)的超高壓950V超結(jié)SJ MOS平臺(tái)，采用先進(jìn)的多次外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在保證高耐壓的基礎(chǔ)上，有效減少器件內(nèi)部的寄生電容，進(jìn)一步優(yōu)化開關(guān)過(guò)程中的能量損失。與傳統(tǒng)的PN結(jié)結(jié)構(gòu)相比，這種新型結(jié)構(gòu)能夠有效減小漏電流，提高器件的熱穩(wěn)定性和抗電場(chǎng)能力，確保在高壓條件下的可靠性。滿足LED照明電源、適配器、模塊電源、植物照明電源等高壓中功率領(lǐng)域的需求。

龍騰 950V 超結(jié)MOS

采用多次外延工藝，通過(guò)精準(zhǔn)堆疊外延層并優(yōu)化摻雜分布，實(shí)現(xiàn)電荷平衡與電場(chǎng)均勻性的大幅提升，賦予產(chǎn)品三大核心優(yōu)勢(shì)：

極低導(dǎo)通損耗

Rsp（比導(dǎo)通電阻）較國(guó)際競(jìng)品降低22.3%，顯著減少導(dǎo)通損耗，可在植物照明電源中實(shí)現(xiàn)更高能效。

超快動(dòng)態(tài)性能

FOM(Qgd)優(yōu)化14.5%，開關(guān)損耗（Eon/Eoff）分別降低18.5%和43.1%，助力高頻電源設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化。

卓越可靠性

Trr（反向恢復(fù)時(shí)間）縮短13.6%，減少開關(guān)噪聲，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性；同時(shí)，多次外延工藝增強(qiáng)了器件耐壓能力，支持950V高壓場(chǎng)景下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

龍騰 SJ MOS 800V-950V推薦型號(hào)