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行芯科技揭示先進(jìn)工藝3DIC Signoff破局之道

行芯PHLEXING ? 來源:行芯PHLEXING ? 2025-06-12 14:22 ? 次閱讀
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在當(dāng)下3DIC技術(shù)作為提升芯片性能和集成度的重要路徑,正面臨著諸多挑戰(zhàn),尤其是Signoff環(huán)節(jié)的復(fù)雜性問題尤為突出。此前,6月6日至8日,由中國(guó)科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院主辦的“第四屆電子與信息前沿學(xué)術(shù)會(huì)議”上,行芯科技CEO賀青博士基于最近與Top設(shè)計(jì)公司合作成功流片的先進(jìn)工藝3DIC項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),發(fā)表了題為《面向3DIC的Signoff挑戰(zhàn)與行芯科技創(chuàng)新策略》的演講,為行業(yè)帶來了深刻的技術(shù)洞察。

賀青博士在演講中指出,F(xiàn)ace-to-Face等先進(jìn)堆疊形式雖能顯著提升芯片性能,但也使得Signoff技術(shù)難度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。3DIC Signoff不僅涉及物理驗(yàn)證及簽核的復(fù)雜流程,還需應(yīng)對(duì)復(fù)合Die引起的Coupling RC、SI、PI等新難題,以及電、熱、力等多物理耦合帶來的新挑戰(zhàn)。

為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),行芯科技自研了業(yè)內(nèi)首個(gè)多Die并行提取Face-to-Face晶圓堆棧設(shè)計(jì)中的寄生參數(shù)解決方案。通過高精度的跨層芯片電容提取與網(wǎng)表仿真驗(yàn)證,確保3DIC芯片在Signoff環(huán)節(jié)的數(shù)據(jù)基石,并從SI、PI、Power、Thermal等多維度為3DIC設(shè)計(jì)提供全方位簽核驗(yàn)證。同時(shí),行芯科技將電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、功耗分析等環(huán)節(jié)前置踐行3DIC Shift Left設(shè)計(jì)方法學(xué),進(jìn)一步提升芯片設(shè)計(jì)的效率與準(zhǔn)確性。

EDA斷供的背景下,行芯科技將繼續(xù)與學(xué)術(shù)界的專家學(xué)者保持緊密合作,共同推動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)自主創(chuàng)新與自主可控發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:第四屆電子與信息前沿學(xué)術(shù)會(huì)議丨行芯科技揭示先進(jìn)工藝3DIC Signoff破局之道

文章出處:【微信號(hào):Phlexing,微信公眾號(hào):行芯PHLEXING】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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