近日，英飛凌在上海舉辦的2025 OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會在上海順利落下帷幕。本次活動中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，憑借卓越的性能指標和創(chuàng)新封裝設計，繼續(xù)全面領跑半導體行業(yè)，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運行提供了強有力的支持。

CoolSiC MOSFET G2 1200V：

業(yè)內(nèi)最低開關損耗

TO – 247以及QDPAK封裝的1200V CoolSiC MOSFET G2系列，開關損耗達到了業(yè)內(nèi)最低水平。同時，門級瞬態(tài)電壓范圍擴大至 - 10 ~ 25V，使得器件能夠更好地應對復雜多變的電路環(huán)境。200°C的短時過載結溫以及2微秒的短路能力，進一步增強了器件在惡劣工況下的耐受能力，確保了設備在極端條件下的安全運行。

CoolSiC MOSFET G2 1400V：

適應更高母線電壓

1400V CoolSiC MOSFET G2系列的TO - 247以及TO - 247 Plus Reflow封裝，面對高母線電壓應用進行了優(yōu)化設計，能夠輕松適應母線電壓大于1000V的場景，該系列產(chǎn)品的功率管腳加粗至2mm，使得器件能夠承受更大的電流，背板回流焊的設計，提升了產(chǎn)品的可靠性，為高壓電力電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。

CoolSiC Diode G5 1200V & 2000V：

業(yè)內(nèi)最大電流

CoolSiC Diode G5 1200V以及2000V系列產(chǎn)品，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最大電流輸出。其中，1200V產(chǎn)品可提供高達150A的電流，2000V產(chǎn)品則能達到80A的電流輸出能力，更好地滿足了高功率應用場景對大電流的需求。.XT擴散焊創(chuàng)新技術不僅簡化了拓撲結構，還顯著提高了功率密度，為設備的小型化和輕量化設計提供了可能。

CoolSiC MOSFET G2 Easy 1200V

碳化硅模塊：全新封裝，業(yè)內(nèi)首發(fā)

業(yè)內(nèi)首發(fā)的1200V CoolSiC MOSFET G2 Easy模塊采用全新封裝實現(xiàn)更低的功率損耗，同時，具備更高的工作虛擬結溫，支持更長的系統(tǒng)壽命要求，為設備在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定運行提供了有力保障。

CoolSiC XHP 2 2.3kV/3.3kV

碳化硅模塊：全球首款

CoolSiC XHP 2 2.3kV和3.3kV碳化硅模塊作為全球首款高電壓碳化硅模塊產(chǎn)品，集成體二極管，采用XHP 2創(chuàng)新封裝和.XT銀燒結技術，實現(xiàn)了10倍的功率密度提升、10倍的可靠性能加強，以及10倍的節(jié)能降耗顯著效果，為高壓、大功率應用場景提供了更高效、更可靠的解決方案，將推動軌道交通、可再生能源等領域的發(fā)展邁向新的高度。

CIPOS Maxi 1200V

碳化硅智能功率模塊：全球首款

CIPOS Maxi 1200V全碳化硅高性能車規(guī)智能功率模塊作為全球首款車規(guī)級同類產(chǎn)品，集成車規(guī)級1200V CoolSiC MOSFET G2和1200V C5SOI驅(qū)動IC，功率輸出高達12kW以上。同時，該模塊通過AQG324 / AEC-Q認證，可靠性獲權威認可，為汽車電力電子系統(tǒng)提供更高效、更可靠的解決方案。