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新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2025-07-08 17:08 ? 次閱讀
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新品

采用ThinTOLL 8x8封裝的

CoolSiC 650V G2 SiC MOSFET

新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品

1d82b270-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png


第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴充ThinTOLL 8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號,將導通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴展至20mΩ到60mΩ,提供更精細的選型梯度。


ThinTOLL封裝是標準8x8尺寸下發(fā)揮CoolSiC G2芯片性能的最佳方案。該封裝技術(shù)突破了8x8尺寸的熱循環(huán)極限,并通過優(yōu)化.XT互連結(jié)構(gòu)顯著降低熱阻,在保持8x8mm超小尺寸的同時,充分發(fā)揮了碳化硅材料的性能優(yōu)勢,實現(xiàn)了功率密度的革命性突破。


產(chǎn)品型號:

IMTA65R026M2H

IMTA65R033M2H


框圖


1da7c2ae-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png1db9594c-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png


產(chǎn)品特點


卓越的品質(zhì)因數(shù)(FOMs)

同類最優(yōu)導通電阻(RDS(on))

高可靠性、高品質(zhì)

靈活的驅(qū)動電壓范圍

支持單極驅(qū)動(VGS(off)=0)

先進的.XT擴散焊封裝互連技術(shù)

全系列8x8封裝FET引腳兼容

熱循環(huán)可靠性TCoB提升4倍


應(yīng)用價值


BOM成本優(yōu)化

單位成本最優(yōu)系統(tǒng)性能

最高可靠性,延長使用壽命

頂尖能效與功率密度

緊湊尺寸,更高功率密度

高度集成的子卡設(shè)計


應(yīng)用領(lǐng)域


智能電視系統(tǒng)解決方案

暖通空調(diào)

家用電器

微型逆變器解決方案

電能轉(zhuǎn)換


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